FDS7088N3
2004年2月
FDS7088N3
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
“低侧”同步整流器的操作，提供了一个
非常低R
DS （ ON）
在小包装。
特点
21 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 4毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
快速开关
FLMP SO- 8封装：增强热
在业界标准的封装尺寸性能
应用
同步整流器器
DC / DC转换器
5
6
7
8
底侧
漏接触
4
3
2
1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
A
W
°C
21
60
3.0
1.5
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
40
0.5
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS7088N3
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS7088N3
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS7088N3版本D1 （ W）
