FDS7088N3
典型特征
80
V
GS
= 10V
4.5V
2.2
4.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
3.5V
V
GS
= 3.5V
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
20
40
I
D
，漏电流（ A）
60
80
I
D
，漏电流（ A）
60
40
4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
10V
20
3.0V
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
，漏源电压（V ）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.01
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 21A
V
GS
= 10V
I
D
= 10.5A
0.008
1.4
1.2
0.006
T
A
= 125
o
C
1
0.004
T
A
= 25
o
C
0.002
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
，结温（ C）
图3.导通电阻变化与
温度。
80
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
60
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
I
S
，反向漏电流（ A）
10
T
A
= 125
o
C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
25
o
C
-55
o
C
40
T
A
=125
o
C
25 C
o
20
-55
o
C
0
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
，门源电压（ V）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS7088N3版本D1 （ W）
