1999年2月
FDS4953
双P沟道逻辑电平的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这些P沟道
逻辑
电平MOSFET的
利用飞兆半导体先进的生产
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻，但保持低
栅极电荷为出色的开关性能。
这些装置非常适用于便携式电子
应用：负载开关和电源管理，
电池充电电路和DC / DC转换。
特点
-5 A ， -30 V.
DS （ ON）
= 0.053
@ V
GS
= -10 V,
R
DS （ ON）
= 0.095
@ V
GS
= -4.5V.
低栅极电荷（ 8nC典型值） 。
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D2
D2
D1
D1
S
FD 53
49
S2
G2
5
6
7
8
4
3
2
1
SO-8
针
1
S1
G1
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25
o
C除非另有说明
评级
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1A ）
-30
±20
-5
-20
2
1.6
1
0.9
-55到150
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
1999仙童半导体公司
FDS4953 Rev.C
