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AC电气特性
DRAM类型
（ TRAC NS ）
注意：
该图应被用于初级选择。为了准确，
详细的时序，请参见下面的表格。
100
80
70
60
50
40
66
80
100
120
11等待状态
15等待状态
芯片频率
（兆赫）
4等待状态
8等待状态
图2-17 。
DRAM页外等待状态选择指南
表2-11 。
DRAM超出页面和刷新计时，十一个等待状态
1,2
号
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
特征
随机读或写周期时间
RAS断言到数据有效（读）
CAS断言到数据有效（读）
列地址有效到数据有效（读）
CAS的无效数据无效（读保持时间）
RAS无效到RAS断言
RAS断言脉冲宽度
CAS断言RAS的无效
RAS断言CAS的无效
CAS断言脉冲宽度
断言RAS到CAS断言
RAS断言到列地址有效
CAS无效到RAS断言
CAS的无效脉冲宽度
符号
t
RC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
关闭
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
CP
表达
3
12
×
T
C
6.25
×
T
C
7.0
3.75
×
T
C
7.0
4.5
×
T
C
7.0
100兆赫
单位
民
120.0
—
—
—
0.0
最大
—
55.5
30.5
38.0
—
—
—
—
—
—
29.0
21.5
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4.25
×
T
C
4.0
7.75
×
T
C
4.0
5.25
×
T
C
4.0
6.25
×
T
C
4.0
3.75
×
T
C
4.0
2.5
×
T
C
±
4.0
1.75
×
T
C
±
4.0
5.75
×
T
C
4.0
4.25
×
T
C
– 6.0
38.5
73.5
48.5
58.5
33.5
21.0
13.5
53.5
36.5
2-20
