功率晶体管
2SC3496 ， 2SC3496A
硅NPN三重扩散平面型
对于开关电源
8.5
±0.2
单位：mm
3.4
±0.3
1.0
±0.1
6.0
±0.2
■
特点
高速开关
高集电极 - 基极电压（发射极开路）V
CBO
正向电流传输比H良好的线性
FE
N型包使散热片直接焊接到
印刷电路板的小型电子设备等。
10.0
±0.3
1.5
±0.1
4.4
±0.5
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
1
2
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
2SC3496
2SC3496A
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
I
CP
P
C
900
1 000
900
1 000
800
900
7
0.3
1
2
30
1.3
V
(6.5)
集电极 - 发射极电压2SC3496
（E -B的短）
2SC3496A
集电极 - 发射极电压2SC3496
（基地开）
2SC3496A
发射极 - 基极电压（集电极开路）
基极电流
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
T
a
=
25°C
V
V
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
N-二G1套餐
注）自支撑式封装也准备。
V
A
A
A
W
°C
°C
T
j
T
英镑
150
55
to
+150
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
（基地开）
集电极 - 基极截止电流
（发射极开路）
2SC3496
2SC3496A
2SC3496
2SC3496A
I
EBO
h
FE1
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
CBO
V
CB
=
900 V，I
E
=
0
V
CB
=
1 000 V，I
E
=
0
V
EB
=
7 V，I
C
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
0.05 A
V
CE
=
5 V，I
C
=
0.5 A
I
C
=
0.2 A，I
B
=
0.04 A
I
C
=
0.2 A，I
B
=
0.04 A
V
CE
=
10 V，I
C
=
0.05 A，F
=
1兆赫
I
C
=
0.2 A
I
B1
=
0.04 A，I
B2
=
0.08 A
V
CC
=
250 V
4
1.0
3.0
1.0
6
3
1.5
1.0
V
V
兆赫
s
s
s
符号
V
首席执行官
条件
I
C
=
1毫安，我
B
=
0
民
800
900
50
50
50
A
A
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期： 2003年3月
SJD00104AED
(7.6)
参数
符号
等级
单位
(1.5)
0.8
±0.1
R = 0.5
R = 0.5
2.54
±0.3
1.0
±0.1
1.4
±0.1
0.4
±0.1
5.08
±0.5
(8.5)
(6.0)
1.3
3
2.0
±0.5
4.4
±0.5
00.4
14.4
±0.5
3.0
+0.4
–0.2
1.5
+0
–0.4
1
