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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第271页 > 2SC3496
功率晶体管
2SC3496 , 2SC3496A
硅NPN三重扩散平面型
对于开关电源
8.5
±0.2
单位:mm
3.4
±0.3
1.0
±0.1
6.0
±0.2
特点
高速开关
高集电极 - 基极电压(发射极开路)V
CBO
正向电流传输比H良好的线性
FE
N型包使散热片直接焊接到
印刷电路板的小型电子设备等。
10.0
±0.3
1.5
±0.1
4.4
±0.5
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
1
2
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
2SC3496
2SC3496A
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
I
CP
P
C
900
1 000
900
1 000
800
900
7
0.3
1
2
30
1.3
V
(6.5)
集电极 - 发射极电压2SC3496
(E -B的短)
2SC3496A
集电极 - 发射极电压2SC3496
(基地开)
2SC3496A
发射极 - 基极电压(集电极开路)
基极电流
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
T
a
=
25°C
V
V
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
N-二G1套餐
注)自支撑式封装也准备。
V
A
A
A
W
°C
°C
T
j
T
英镑
150
55
to
+150
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
(基地开)
集电极 - 基极截止电流
(发射极开路)
2SC3496
2SC3496A
2SC3496
2SC3496A
I
EBO
h
FE1
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
CBO
V
CB
=
900 V,I
E
=
0
V
CB
=
1 000 V,I
E
=
0
V
EB
=
7 V,I
C
=
0
V
CE
=
5 V,I
C
=
0.05 A
V
CE
=
5 V,I
C
=
0.5 A
I
C
=
0.2 A,I
B
=
0.04 A
I
C
=
0.2 A,I
B
=
0.04 A
V
CE
=
10 V,I
C
=
0.05 A,F
=
1兆赫
I
C
=
0.2 A
I
B1
=
0.04 A,I
B2
=
0.08 A
V
CC
=
250 V
4
1.0
3.0
1.0
6
3
1.5
1.0
V
V
兆赫
s
s
s
符号
V
首席执行官
条件
I
C
=
1毫安,我
B
=
0
800
900
50
50
50
A
A
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期: 2003年3月
SJD00104AED
(7.6)
参数
符号
等级
单位
(1.5)
0.8
±0.1
R = 0.5
R = 0.5
2.54
±0.3
1.0
±0.1
1.4
±0.1
0.4
±0.1
5.08
±0.5
(8.5)
(6.0)
1.3
3
2.0
±0.5
4.4
±0.5
00.4
14.4
±0.5
3.0
+0.4
–0.2
1.5
+0
–0.4
1
2SC3496 , 2SC3496A
P
C
T
a
50
1.2
(1)T
C
= TA
(2)在一个50×50× 2毫米
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=1.3W)
(1)
T
C
=25C
I
B
=200mA
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=5
V
CE ( SAT )
I
C
T
C
=100C
25C
集电极耗散功率P
C
(W)
40
1.0
集电极电流I
C
(A)
1
0.8
30
0.6
20
100mA
90mA
80mA
70mA
60mA
50mA
40mA
30mA
20mA
10mA
–25C
0.1
0.4
10
(2)
(3)
0.2
0
0
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.01
0.1
1
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
I
C
I
C
/I
B
=5
h
FE
I
C
1 000
V
CE
=5V
f
T
I
C
V
CE
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
100
正向电流传输比H
FE
1
T
C
=–25C
100C
25C
T
C
=100C
过渡频率f
T
(兆赫)
1
25C
100
10
–25C
10
0.1
1
1
0.01
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
t
on
, t
英镑
, t
f
I
C
导通时间t
on
,存储时间t
英镑
,下降时间t
f
(
s
)
100
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
安全工作区
10
I
CP
集电极电流I
C
(A)
10
I
C
/I
B
=5(2I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=250V
T
C
=25C
1
I
C
300ms
t=10ms
1
t
英镑
0.1
0.1
t
on
t
f
0.01
2SC3496A
2SC3496
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.001
非重复脉冲
T
C
=25C
1
10
100
1 000
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2
SJD00104AED
2SC3496 , 2SC3496A
安全操作区(反向偏置)
4
L=100H
I
C
/I
B
=5
(2I
B1
=–I
B2
)
T
C
=125C
安全操作区(反向偏置)测量电路
L
I
B1
T.U.T
I
C
集电极电流I
C
(A)
3
2
I
CP
V
IN
I
B2
V
CC
1
I
C
t
w
0
0
400
800
1200
1600
V
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
R
th
t
10
2
( 1 )不带散热片
(2)在一个50×50× 2毫米铝散热器
(1)
热阻R
th
( ° C / W)
10
(2)
1
10
1
10
2
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
SJD00104AED
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
功率晶体管
2SC3496 , 2SC3496A
硅NPN三重扩散平面型
对于开关电源
8.5
±0.2
单位:mm
3.4
±0.3
1.0
±0.1
6.0
±0.2
特点
高速开关
高集电极 - 基极电压(发射极开路)V
CBO
正向电流传输比H良好的线性
FE
N型包使散热片直接焊接到
印刷电路板的小型电子设备等。
10.0
±0.3
1.5
±0.1
4.4
±0.5
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
1
2
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
2SC3496
2SC3496A
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
I
CP
P
C
900
1 000
900
1 000
800
900
7
0.3
1
2
30
1.3
V
(6.5)
集电极 - 发射极电压2SC3496
(E -B的短)
2SC3496A
集电极 - 发射极电压2SC3496
(基地开)
2SC3496A
发射极 - 基极电压(集电极开路)
基极电流
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
T
a
=
25°C
V
V
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
N-二G1套餐
注)自支撑式封装也准备。
V
A
A
A
W
°C
°C
T
j
T
英镑
150
55
to
+150
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
(基地开)
集电极 - 基极截止电流
(发射极开路)
2SC3496
2SC3496A
2SC3496
2SC3496A
I
EBO
h
FE1
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
CBO
V
CB
=
900 V,I
E
=
0
V
CB
=
1 000 V,I
E
=
0
V
EB
=
7 V,I
C
=
0
V
CE
=
5 V,I
C
=
0.05 A
V
CE
=
5 V,I
C
=
0.5 A
I
C
=
0.2 A,I
B
=
0.04 A
I
C
=
0.2 A,I
B
=
0.04 A
V
CE
=
10 V,I
C
=
0.05 A,F
=
1兆赫
I
C
=
0.2 A
I
B1
=
0.04 A,I
B2
=
0.08 A
V
CC
=
250 V
4
1.0
3.0
1.0
6
3
1.5
1.0
V
V
兆赫
s
s
s
符号
V
首席执行官
条件
I
C
=
1毫安,我
B
=
0
800
900
50
50
50
A
A
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期: 2003年3月
SJD00104AED
(7.6)
参数
符号
等级
单位
(1.5)
0.8
±0.1
R = 0.5
R = 0.5
2.54
±0.3
1.0
±0.1
1.4
±0.1
0.4
±0.1
5.08
±0.5
(8.5)
(6.0)
1.3
3
2.0
±0.5
4.4
±0.5
00.4
14.4
±0.5
3.0
+0.4
–0.2
1.5
+0
–0.4
1
2SC3496 , 2SC3496A
P
C
T
a
50
1.2
(1)T
C
= TA
(2)在一个50×50× 2毫米
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=1.3W)
(1)
T
C
=25C
I
B
=200mA
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=5
V
CE ( SAT )
I
C
T
C
=100C
25C
集电极耗散功率P
C
(W)
40
1.0
集电极电流I
C
(A)
1
0.8
30
0.6
20
100mA
90mA
80mA
70mA
60mA
50mA
40mA
30mA
20mA
10mA
–25C
0.1
0.4
10
(2)
(3)
0.2
0
0
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.01
0.1
1
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
I
C
I
C
/I
B
=5
h
FE
I
C
1 000
V
CE
=5V
f
T
I
C
V
CE
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
100
正向电流传输比H
FE
1
T
C
=–25C
100C
25C
T
C
=100C
过渡频率f
T
(兆赫)
1
25C
100
10
–25C
10
0.1
1
1
0.01
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
t
on
, t
英镑
, t
f
I
C
导通时间t
on
,存储时间t
英镑
,下降时间t
f
(
s
)
100
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
安全工作区
10
I
CP
集电极电流I
C
(A)
10
I
C
/I
B
=5(2I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=250V
T
C
=25C
1
I
C
300ms
t=10ms
1
t
英镑
0.1
0.1
t
on
t
f
0.01
2SC3496A
2SC3496
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.001
非重复脉冲
T
C
=25C
1
10
100
1 000
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2
SJD00104AED
2SC3496 , 2SC3496A
安全操作区(反向偏置)
4
L=100H
I
C
/I
B
=5
(2I
B1
=–I
B2
)
T
C
=125C
安全操作区(反向偏置)测量电路
L
I
B1
T.U.T
I
C
集电极电流I
C
(A)
3
2
I
CP
V
IN
I
B2
V
CC
1
I
C
t
w
0
0
400
800
1200
1600
V
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
R
th
t
10
2
( 1 )不带散热片
(2)在一个50×50× 2毫米铝散热器
(1)
热阻R
th
( ° C / W)
10
(2)
1
10
1
10
2
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
SJD00104AED
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
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通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC3496
    -
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