飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUT211X
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
1
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
增益带
2
（可接受限度）
1
2
3
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 9.0 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.4 A
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.4 A
I
C
= 1.0 A; V
CE
= 2 V
I
C
= 3.0 A; V
CE
= 2 V
I
C
= 1.0 A; V
CE
= 2 V
分钟。
-
-
-
400
-
-
13
7.5
13
18
23
典型值。
-
-
-
-
0.8
-
21
11
-
-
-
马克斯。
1.0
2.0
10.0
-
2.0
1.3
30
-
20
25
30
单位
mA
mA
mA
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
t
s
t
f
参数
开关时间阻性负载
关闭存储时间
关断下降时间
开关时间感性负载
t
s
t
f
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
CON
= 3.0 A;我
BON
= 0.3 A; -I
B关
= 0.6 A
典型值。
1.5
0.5
马克斯。
2.0
0.8
单位
s
s
I
CON
= 3.0 A;我
BON
= 0.3 A; L
B
= 1
H;
-V
BB
= 5 V
I
CON
= 3.0 A;我
BON
= 0.3 A; L
B
= 1
H;
-V
BB
= 5 V ;牛逼
j
= 100 C
1.0
60
1.1
120
1.2
100
1.4
250
s
ns
s
ns
1
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
2
增益捆扎。
产品分为3个频段的增益匹配的目的。
增益频带被打印在设备上。
设备导轨内的所有设备都来自同一增益波段。
然而，盒可含有一个以上的带导轨。
带量显示在盒上的标签。
它是无法订购特定增益频带。
1996年3月
2
启1.000
