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BTS 412B2
V
bb
与电的外接断开
感性负载
S
高
2
IN
3
VBB
PROFET
4
ST
GND
1
V
OUT
最大允许负载电感
单开关关闭
L = F（我
L
);
T
，开始
= 150℃ ，T
C
= 150 ℃的常量。 ，
V
bb
= 12 V,
R
L
= 0
L
[MH]
10000
5
D
1000
bb
如果其他外部电感负载L的连接到PROFET ，
如D附加元件是必要的。
100
感性负载关断能量
耗散
ê BB
E上
VBB
PROFET
OUT
EL
GND
ZL
电子负载
10
IN
1
1
L
RL
ER
2
3
4
5
6
=
ST
IL
[A]
典型值。瞬态热阻抗芯片的情况下，
Z
thJC
=
F（T
p
，D ） ，D = T
p
/T
Z
thJC
〔 K / W〕
10
{
能量储存在电感负载：
E
L
=
1/2
·
L
·
I
L
而消磁负载电感时，能量
消散在PROFET是
1
2
E
AS
= E
bb
+ E
L
- E
R
=
∫
V
开（ CL）的
·
i
L
（ t）的DT ，
与对于R的近似解
L
＆ GT ;
0
:
E
AS
=
I
L
·
L
I
L
·
R
L
·
(
V
bb
+ |V
OUT （CL）的
|)
·
ln
(1+
)
|V
OUT （CL）的
|
2
·
R
L
0.1
D=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
0.01
1E-5
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E0
1E1
tp
[s]
半导体集团
8
