BTS 412B2
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
输入和状态反馈
11
)
输入阻抗
看到电路第6页
输入端导通阈值电压
T
j
=-40..+150°C:
T
j
=-40..+150°C:
输入关断阈值电压
输入阈值迟滞
关机状态下的输入电流（引脚2 ）
V
IN
= 0.4 V
在状态输入电流（引脚2 ）
V
IN
= 3.5 V
延迟时间与负载开路状态
之后，输入负。斜率（见图第11页）
R
I
V
IN（ T + ）
V
IN（ T-）
V
IN（ T）
I
中（关闭）
I
IN（上）
t
D（ ST OL3 ）
t
D（ ST ，SC）
--
1.5
1.0
--
1
10
--
--
9
--
--
0.5
--
25
200
--
--
2.4
--
--
30
70
--
450
k
V
V
V
A
A
s
s
状态积极投入斜坡后失效
Tj=-40
... +150°C:
（短路）
状态输出（ CMOS ）
T
j
=-40...+150°C,
I
ST
=
-
50
A:
T
j
=-40...+150°C,
I
ST
= 1.6毫安：
马克斯。状态电流
电流源
（下） ：
有效的状态输出，
灌电流
（中） ：
T
j
=-40...+150°C
V
ST(high)12
)
V
意法半导体（低）
-I
ST
+I
ST13)
4.4
--
--
--
5.1
--
--
--
6.5
0.4
0.25
1.6
V
mA
11)
如果接地电阻R
GND
用加电阻两端的电压降。
VSt上高
≈
V
bb
在欠压关断
13
）在欠压关断无电流吸收能力
12
)
半导体集团
5
