BSP 316
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
=
(T
j
)
参数：
I
D
= -0.65 A,
V
GS
= -10 V
7.0
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
=
(T
j
)
参数：
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= -1毫安
-4.6
V
-4.0
6.0
R
DS （ ON）
5.5
5.0
4.5
V
GS （ TH）
-3.6
-3.2
-2.8
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60
-20
20
60
100
°C
160
-0.8
-0.4
0.0
-60
-20
20
60
100
°C
160
-2.4
98%
98%
-2.0
-1.6
典型值
-1.2
典型值
2%
T
j
T
j
典型值。电容
C
=
f
(V
DS
)
参数： V
GS
=0V,
f
= 1兆赫
10
4
反向二极管的正向特性
I
F
=
(V
SD
)
参数：
T
j
, t
p
= 80 s
-10
1
pF
C
10
3
A
I
F
-10
0
C
国际空间站
10
2
-10
-1
C
OSS
T
j
= 25°C （典型值）
T
j
= 150℃ （典型值）
T
j
= 25 °C (98%)
C
RSS
10
1
0
-10
-2
0.0
T
j
= 150 °C (98%)
-5
-10
-15
-20
-25
-30
V
V
DS
-40
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
V
-3.0
V
SD
半导体集团
7
Sep-12-1996
