BSP 316
典型值。输出特性
I
D
=
(
V
DS
)
参数：
t
p
= 80 s
-1.5
A
-1.3
典型值。漏极 - 源极导通电阻
R
DS （ ON）
=
(
I
D
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 25 °C
7.0
P
合计
= 2W
l
ki
j
h
g
VGS
[V]
a
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0
6.0
A B
c
d
e
f
I
D
-1.2
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
a
b
c
e
R
DS （ ON）
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
V
[V] =
GS
0.5
0.0
a
b
c
d
e
f
-2.0 -2.5 -3.0 -3.5 -4.0 -4.5
g
h
i
j
-5.0 -6.0 -7.0 -8.0
k
l
-9.0 -10.0
f
b
c
d
e
f
g
h
i
d
j
k
l
g
h
我KJ升
V
-6.0
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
A
-1.3
V
DS
I
D
典型值。传输特性
I
D
= F（V
GS
)
参数：
t
p
= 80 s
典型值。正向跨导
g
fs
=
f
(I
D
)
参数：
t
p
= 80 s,
-3.0
A
-2.6
0.75
S
0.65
I
D
-2.4
-2.2
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
V
V
GS
-10
g
fs
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
A
I
D
-2.6
半导体集团
6
Sep-12-1996
