飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
C
c
笔记
脉冲条件下测得的1 ：吨
p
≤
500
s; δ ≤
0.01.
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家泄漏电流
直流电流增益
集电极电容
条件
发射极开路;我
C
= 60毫安
开基;我
C
= 150毫安
集电极开路;我
E
= 3毫安
V
BE
= 0; V
CE
= 28 V
V
CE
= 10 V ;我
C
= 4.5 A;注意1 ;
参见图3
V
CB
= 26 V ;我
E
= i
e
= 0;
F = 1兆赫;注意2 ;参照图4
BLV958 ; BLV958FL
分钟。
70
30
3
30
典型值。
75
马克斯。
5
120
单位
V
V
V
mA
pF
2.数值C
c
只有模具的是，这是因为内部匹配网络不能测定。
手册， halfpage
120
MLD243
手册， halfpage
200
MLD244
^ h FE
Cc
（PF ）
(1)
150
80
(2)
100
40
50
0
0
4
8
12
I C （ A）
16
0
0
10
20
30
VCB （ V）
40
脉冲的条件下测定;吨
p
≤
500
s; δ ≤
0.01.
(1) V
CE
= 26 V.
(2) V
CE
= 10 V.
值C
c
只有模具的是，它是不可测量的，因为
内部匹配网络。
I
E
= i
e
= 0; F = 1兆赫。
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
2000年01月12
4
