飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特点
内部输入和输出匹配，易于匹配，
高增益和效率
多晶硅发射极镇流电阻的最佳
温度曲线
镀金保证了出色的可靠性。
应用
基站在800至960兆赫的频率范围。
钉扎 - SOT391A
针
1
2
3
符号
c
b
e
BASE
发射器;连接法兰FL
描述
集热器
钉扎 - SOT391B
针
1
2
地平面
描述
BLV958 ; BLV958FL
NPN硅平面外延晶体管主要用于
对于共射AB类操作。晶体管
具有内部输入和输出匹配由MOS来
电容器。该封装有2引线的矩形
SOT391A凸缘包和一个SOT391B兰
包，都与一个陶瓷帽。
符号
c
b
e
BASE
描述
集热器
辐射源
手册， halfpage
1
c
b
3
手册， halfpage
1
c
b
2
顶视图
MAM203
e
2
顶视图
MSA465
e
Fig.1简化外形（ SOT391A ）和符号。
图2简体外形（ SOT391B ）和符号。
快速参考数据
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共发射极的测试电路。
的模式
手术
CW ， AB类
f
（兆赫）
900
960
V
CE
(V)
26
26
P
L
(W)
75
75
G
p
（ dB）的
≥8
≥8.5
η
C
(%)
≥50
≥50
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
2000年01月12
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
BLV958 ; BLV958FL
应用信息
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共发射极， AB类测试电路;
日MB -H
= 0.2 K / W 。
操作模式
f
（兆赫）
900
CW ， AB类
960
V
CE
(V)
26
26
I
CQ
（MA ）
200
200
P
L
(W)
75
75
G
p
（ dB）的
≥8
（典型值） 。 9.5
≥8.5
（典型值） 。 9.5
η
C
(%)
≥50
（典型值） 。 55
≥50
（典型值） 。 55
坚固耐用的AB类操作
这些晶体管能够承受相应的VSWR = 4的负载失配：通过各个阶段的评分1
输出功率，在下列条件下： V
CE
= 26 V ; F = 960 MHz的;我
CQ
= 200毫安;吨
h
= 25
°C;
R
日MB -H
= 0.2 K / W 。
手册， halfpage
12
MLD245
60
η
C
(%)
40
MLD246
手册， halfpage
120
Gp
（ dB）的
8
Gp
PL
(W)
80
η
C
4
20
40
0
0
20
40
60
0
80
100
P L （W）的
0
0
4
8
12
P I （W）的
16
V
CE
= 26 V ;我
CQ
= 200毫安; F = 960兆赫。
V
CE
= 26 V ;我
CQ
= 200毫安; F = 960兆赫。
Fig.5
功率增益和集电极英法fi效率为
负载功率的功能;典型值。
Fig.6
负载功率作为输入功率的函数;
典型值。
2000年01月12
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