BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
512K ×8位
BS62LV4006
宽的Vcc工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 29毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 30毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 24毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 25毫安（ @为70ns ）工作电流
0.45uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级： 68毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 70毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 58毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 60毫安（ @为70ns ）工作电流
2.0uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展CE和OE选项
三态输出与TTL兼容
描述
该BS62LV4006是一款高性能，低功耗CMOS
由8位， 524288字静态随机存取存储器
而工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
0.45uA在
3.0V/25
o
C
55ns的和最大访问时间
3.0V/85
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS62LV4006具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV4006可在JEDEC标准32L SOP ， TSOP
， PDIP ， TSOP II和STSOP包。
产品系列
产品
家庭
BS62LV4006TC
BS62LV4006STC
BS62LV4006SC
BS62LV4006EC
BS62LV4006PC
BS62LV4006TI
BS62LV4006STI
BS62LV4006SI
BS62LV4006EI
BS62LV4006PI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
55ns ： 3.0 5.5V
为70ns ： 2.7 5.5V
功耗
( I
CCSB1
马克斯）
待机
VCC = 5.0V
操作
( I
CC
马克斯）
VCC = 3.0V
VCC = 3.0V
70ns
VCC = 5.0V
70ns
PKG
TYPE
TSOP
-
32
STSOP
-
32
SOP
-
32
TSOP2
-
32
PDIP
-
32
TSOP
-
32
STSOP
-
32
SOP
-
32
TSOP2
-
32
PDIP
-
32
0 ℃ + 70℃
O
O
2.4V ~ 5.5V
55 / 70
5uA
30uA
24mA
58mA
-
40
O
C至+ 85°C
O
2.4V ~ 5.5V
55 / 70
10uA
60uA
25mA
60mA
销刀豆网络gurations
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
框图
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
BS62LV4006SC
BS62LV4006SI
BS62LV4006EC
BS62LV4006EI
BS62LV4006PC
BS62LV4006PI
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 X 2048
2048
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
256
列解码器
16
CE
WE
OE
VDD
GND
控制
地址输入缓冲器
8
A11
A9
A8
A13
WE
A17
A15
VCC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
BS62LV4006TC
BS62LV4006STC
BS62LV4006TI
BS62LV4006STI
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
数据
产量
卜FF器
8
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62LV4006
A11 A9 A8 A3 A2 A1 A0 A10
1
修订版1.1
一月
2004
BSI
引脚说明
BS62LV4006
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288 ×8位字中的一个
CE为低电平有效。芯片使必须被激活时，数据从读或写
装置。如果芯片使能未激活，取消选择器件，是一个备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
名字
A0 - A18地址输入
CE芯片使能输入
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
工作范围
单位
V
O
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
R0201-BS62LV4006
2
修订版1.1
一月
2004
BSI
DC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
BS62LV4006
测试条件
VCC = 3.0 V
VCC = 5.0 V
VCC = 3.0 V
VCC = 5.0 V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
MIN 。 TYP 。
-0.5
2.0
2.2
--
--
VCC = 3.0 V
VCC = 5.0 V
VCC = 3.0 V
VCC = 5.0 V
(1)
马克斯。
0.8
0.8
Vcc+0.3
1
1
0.4
0.4
--
25
60
0.5
1.0
10
60
单位
--
--
--
--
--
--
--
V
V
uA
uA
V
V
mA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2.0毫安
VCC =最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
, I
DQ
= 0毫安，
F =最大频率
(2)
CE = V
IH
, I
DQ
= 0毫安
CE
≧
Vcc-0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
70ns
70ns
--
2.4
2.4
--
VCC = 3.0 V
VCC = 5.0 V
VCC = 3.0 V
I
CCSB
(4)
VCC = 5.0 V
VCC = 3.0 V
VCC = 5.0 V
--
--
0.45
2.0
mA
I
CCSB1
待机电流CMOS
--
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4. I
cc
SB1_MAX.
是5UA /为30uA在Vcc = 3.0V / 5.0V和T
A
=70
o
C.
5. Icc_
马克斯。
为30mA下55ns操作（ @ 3.0V ） / 70毫安（ @ 5.0V ） 。
数据保持特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
测试条件
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
--
0
0.3
--
--
1.3
--
--
uA
ns
ns
见保留波形
T
RC （2）
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3. I
cc
DR
_
马克斯。
为0.8uA在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形
VCC
V
IH
VCC
（ CE控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS62LV4006
3
修订版1.1
一月
2004
超低功耗CMOS SRAM
512K ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV4006
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
工作电流： 30毫安为55ns （最大）
V
CC
= 3.0V
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 2 / 4uA的（最大）在八十五分之七十
工作电流： 70毫安为55ns （最大）
V
CC
= 5.0V
10mA（最）在1MHz
O
待机电流： 10 /的20uA （最大）在八十五分之七十
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS62LV4006是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 524,288和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
4 /的20uA在Vcc = 3V / 5V电流在85℃和最大访问时间
55 / 70ns的。
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS62LV4006具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV4006可在DICE的形式， JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， 600mil塑料DIP ， 400密耳的TSOP II ，
8mmx13.4mm STSOP和8mmx20mm TSOP封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV4006DC
BS62LV4006EC
BS62LV4006PC
BS62LV4006SC
BS62LV4006STC
BS62LV4006TC
BS62LV4006EI
BS62LV4006PI
BS62LV4006SI
BS62LV4006STI
BS62LV4006TI
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
O
O
0 ℃ + 70℃
10uA
2.0uA
9mA
43mA
68mA
1.5mA
18mA
29mA
产业
O
O
-40°C至+ 85°C
20uA
4.0uA
10mA
45mA
70mA
2mA
20mA
30mA
骰子
TSOP II- 32
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
TSOP II- 32
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
销刀豆网络gurations
A11
A9
A8
A13
WE
A17
A15
VCC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
框图
A12
A14
A16
A18
A15
A17
A13
A8
A9
A11
BS62LV4006TC
BS62LV4006TI
BS62LV4006STC
BS62LV4006STI
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 4096
4096
DQ0
DQ1
DQ2
8
数据
输入
卜FF器
8
256
列解码器
9
控制
地址输入缓冲器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
BS62LV4006EC
BS62LV4006EI
BS62LV4006SC
BS62LV4006SI
BS62LV4006PC
BS62LV4006PI
DQ3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
产量
卜FF器
CE
WE
OE
V
CC
GND
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A0
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62LV4006
1
调整
1.5
十月
2008
BS62LV4006
引脚说明
名字
A0 - A18地址输入
CE芯片使能输入
功能
这19个地址输入端选择524,288中的x在RAM 8位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
GND
有8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
RANG
广告
产业
环境
温度
0℃至+ 70℃
-40 ℃至+ 85℃
O
O
O
O
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
C
C
O
W
mA
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C，F = 1.0MHz的）
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2. -2.0V的情况下， AC脉冲宽度小于30纳秒。
R0201-BS62LV4006
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
2
调整
1.5
十月
2008
BS62LV4006
DC电气特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流 - TTL
待机电流 - CMOS
O
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.25
1.5
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
1
1
0.4
--
30
70
2
10
0.5
1.0
4.0
20
(3)
单位
V
V
V
UA
UA
V
V
mA
mA
mA
uA
2.2
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
(4)
I
DQ
= 0毫安中，f = F
最大
CE = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
--
--
--
2.4
--
--
--
--
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
O
5. I
CC （ MAX 。 ）
是29毫安/ 68毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
O
6. I
CCSB1(MAX.)
为2.0uA /为10uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
数据保持特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
O
测试条件
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
分钟。
1.5
--
0
典型值。
(1)
--
0.1
--
马克斯。
--
1.5
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
t
RC
(2)
--
1. V
CC
= 1.5V ，T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2. t
RC
=读周期时间。
O
3. I
CCRD （最大）
为1.0uA在T
A
=70 C.
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ） （ CE控制）
数据保持方式
V
CC
V
CC
V
DR
≧1.5V
V
CC
t
CDR
V
IH
CE = V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS62LV4006
3
调整
1.5
十月
2008
超低功耗CMOS SRAM
512K ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV4006
n
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V
工作电流： 30毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.25uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 5.0V
工作电流： 70毫安为55ns （最大）
10mA（最）在1MHz
待机电流： 1.5uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS62LV4006是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 524,288和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
0.25uA电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
3.0V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS62LV4006具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV4006可在DICE的形式， JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， 600mil塑料DIP ， 400密耳的TSOP II ，
8mmx13.4mm STSOP和8mmx20mm TSOP封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV4006DC
BS62LV4006EC
BS62LV4006HC
BS62LV4006PC
BS62LV4006SC
BS62LV4006STC
BS62LV4006TC
BS62LV4006EI
BS62LV4006HI
BS62LV4006PI
BS62LV4006SI
BS62LV4006STI
BS62LV4006TI
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
+0
O
C至+70
O
C
10uA
2.0uA
9mA
43mA
68mA
1.5mA
18mA
29mA
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
20uA
4.0uA
10mA
45mA
70mA
2mA
20mA
30mA
骰子
TSOP II- 32
BGA-36-0608
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
TSOP II- 32
BGA-36-0608
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
n
销刀豆网络gurations
n
框图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A12
A14
A16
A18
A15
A17
A13
A8
A9
A11
BS62LV4006TC
BS62LV4006TI
BS62LV4006STC
BS62LV4006STI
1
2
A1
A11
A9
A8
A13
WE
A17
A15
VCC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 4096
4096
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
256
列解码器
9
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
3
NC
4
A3
5
A6
6
A8
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
BS62LV4006EC
BS62LV4006EI
BS62LV4006SC
BS62LV4006SI
BS62LV4006PC
BS62LV4006PI
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A
A0
8
B
DQ4
A2
WE
A4
A7
DQ0
数据
产量
卜FF器
C
DQ5
NC
A5
DQ1
D
VSS
VCC
CE
WE
控制
地址输入缓冲器
E
VCC
VSS
OE
V
CC
GND
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A0
F
DQ6
A18
A17
DQ2
G
DQ7
OE
CE
A16
A15
DQ3
H
A9
A10
A11
A12
A13
A14
36球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62LV4006
1
修订版1.4
五月。
2006
BS62LV4006
n
引脚说明
名字
A0 - A18地址输入
CE芯片使能输入
功能
这19个地址输入端选择524,288中的x在RAM 8位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
有8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
我们写使能输入
OE输出使能输入
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
GND
电源
地
n
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
R0201-BS62LV4006
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
2
修订版1.4
五月。
2006
BS62LV4006
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
待机电流
–
CMOS
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
O
O
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
--
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.25
1.5
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
(3)
1
1
0.4
--
30
70
2
10
0.5
1.0
4.0
20
单位
V
V
V
UA
UA
V
V
mA
mA
mA
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. I
CC （ MAX 。 ）
是29毫安/ 68毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为2.0uA /为10uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
n
数据保持特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
O
O
测试条件
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
分钟。
1.5
--
0
典型值。
(1)
--
0.1
--
--
马克斯。
--
1.5
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
t
RC （2）
1. V
CC
= 1.5V ，T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3. I
CCRD （最大）
为1.0uA在T
A
=70
O
C.
n
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ） （ CE控制）
数据保持方式
V
CC
V
IH
V
CC
V
DR
≧1.5V
V
CC
t
CDR
CE = V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS62LV4006
3
修订版1.4
五月。
2006
QQ：2880707522 复制
