飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定编
集电极 - 基极击穿电压
发射极开路;我
C
= 5毫安
集电极 - 发射极击穿电压
开基;我
C
= 10毫安
发射极 - 基极击穿电压
集电极开路;我
E
- 0.5毫安
集电极截止电流
V
BE
= 0; V
CE
= 16 V
二次击穿能量
L = 25 mH的; F = 50赫兹;
BE
= 10
直流电流增益
I
C
= 0.3 A; V
CE
= 10 V
集电极电容在f = 1 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 12.5 V
反馈电容在f = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 12.5 V
集电极 - 安装底座电容
C
re
C
C- MB
典型值。
典型值。
C
C
典型值。
h
FE
＆ GT ;
E
丁苯橡胶
＆ GT ;
I
CES
＆ LT ;
V
（ BR ） EBO
＆ GT ;
V
（ BR ） CEO
＆ GT ;
V
（ BR ） CBO
＆ GT ;
BLV91/SL
36 V
16 V
3 V
2.5毫安
0.55兆焦耳
25
3.5 pF的
2.0 pF的
0.5 pF的
手册， halfpage
120
MDA399
手册， halfpage
8
MDA400
Cc
的hFE
VCE =
12.5 V
10 V
4
（PF ）
6
80
40
2
0
0
0.3
0.6
0.9
IC （ A）
1.2
0
0
8
16
VCB （ V）
24
图3牛逼
j
= 25
°C;
典型值。
图4我
E
= i
e
= 0; F = 1兆赫;典型值。
1988年9月
4
