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分立半导体
数据表
BLV91/SL
超高频功率晶体管
产品speci fi cation
1988年9月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
描述
NPN硅外延平面晶体管设计中使用
移动无线电发射器在900MHz频带。
特点
BLV91/SL
扩散发射极镇流电阻的最佳
的温度分布。
镀金保证了出色的可靠性。
该装置可在额定负载功率施加，而不
一个外部散热器，当它被安装在一个
印刷电路板（见图6） 。
该晶体管的4引脚外壳有陶瓷帽
（ SOT - 172D ） 。所有的引线从安装分离
基地。
快速参考数据
在一个共发射极B类电路的RF性能
操作模式
窄带; CW
T
°C
T
mb
= 25
T
a
= 25
(1)
T
a
= 25
(1)
记
1.装置安装在印刷电路板（见图6） 。
V
CE
V
12.5
12.5
9.6
f
兆赫
900
900
900
P
L
W
2
1.5
1.5
G
p
dB
＆ GT ;
6.5
＆ GT ;
6.5
（典型值） 。 6.6
η
C
%
＆ GT ;
50
＆ GT ;
50
（典型值） 。 60
引脚配置
钉扎 - SOT172D 。
针
1
2
1
描述
辐射源
BASE
集热器
辐射源
手册， halfpage
3
4
3
2
4
顶视图
MSB007
Fig.1简化外形。 SOT172D 。
产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全安全
只要该BeO的光盘不被损坏。
1988年9月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
评级
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
DC或平均值
（峰值） ; F
＆ GT ;
1兆赫
总功耗
f
＆ GT ;
1兆赫;牛逼
mb
≤
90
°C
储存温度
工作结温
P
托特（RF）的
T
英镑
T
j
马克斯。
马克斯。
I
C
; I
C（ AV ）
I
CM
马克斯。
马克斯。
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
马克斯。
马克斯。
马克斯。
BLV91/SL
36 V
16 V
3 V
0.4 A
1.2 A
6 W
200
°C
65
to
+
150
°C
手册， halfpage
10
MDA398
P合计（射频）
(W)
II
8
6
I
4
2
0
0
40
80
120
160
TMB （ ° C）
我连续RF操作（F > 1兆赫）
不匹配时II短时RF操作（F > 1兆赫）
图2电源/温度曲线。
热阻
耗散=为4.5 W
从结点到环境
(1)
(f
＆ GT ;
1兆赫）
T
a
= 25
°C
从结点到安装基座
T
mb
= 25
°C
(f
＆ GT ;
1兆赫）
记
1.装置安装在印刷电路板（见图6） 。
R
日J- MB （ RF）
马克斯。
15 K / W
R
第j个-一个射频（RF）
马克斯。
55 K / W
1988年9月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定编
集电极 - 基极击穿电压
发射极开路;我
C
= 5毫安
集电极 - 发射极击穿电压
开基;我
C
= 10毫安
发射极 - 基极击穿电压
集电极开路;我
E
- 0.5毫安
集电极截止电流
V
BE
= 0; V
CE
= 16 V
二次击穿能量
L = 25 mH的; F = 50赫兹;
BE
= 10
直流电流增益
I
C
= 0.3 A; V
CE
= 10 V
集电极电容在f = 1 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 12.5 V
反馈电容在f = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 12.5 V
集电极 - 安装底座电容
C
re
C
C- MB
典型值。
典型值。
C
C
典型值。
h
FE
＆ GT ;
E
丁苯橡胶
＆ GT ;
I
CES
＆ LT ;
V
（ BR ） EBO
＆ GT ;
V
（ BR ） CEO
＆ GT ;
V
（ BR ） CBO
＆ GT ;
BLV91/SL
36 V
16 V
3 V
2.5毫安
0.55兆焦耳
25
3.5 pF的
2.0 pF的
0.5 pF的
手册， halfpage
120
MDA399
手册， halfpage
8
MDA400
Cc
的hFE
VCE =
12.5 V
10 V
4
（PF ）
6
80
40
2
0
0
0.3
0.6
0.9
IC （ A）
1.2
0
0
8
16
VCB （ V）
24
图3牛逼
j
= 25
°C;
典型值。
图4我
E
= i
e
= 0; F = 1兆赫;典型值。
1988年9月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
应用信息
在CW操作的射频性能（共发射极电路; B类） ： F = 900兆赫
操作模式
窄带; CW
V
CE
V
12.5
12.5
12.5
9.6
P
L
W
2
2
1.5
1.5
G
p
dB
＆ GT ;
6.5
（典型值） 。 7.8
＆ GT ;
6.5
（典型值） 。 6.6
η
C
%
＆ GT ;
50
（典型值） 。 60
＆ GT ;
50
（典型值） 。 60
BLV91/SL
T
°C
T
mb
= 25
T
mb
= 25
T
a
= 25
(2)
T
a
= 25
(2)
手册，全页宽
L8
R2
C6
C7
+V
CC
R1
L1
C1
50
,,,,,, ,,,,,,,,,
C5
C8
L3
L5
T.U.T.
L6
L9
L10
C2
C3
C4
C9
C10
L2
L7
C11
50
MDA401
图5 B类测试电路在f = 900兆赫。
1988年9月
5
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