飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
BFG505W ; BFG505W / X
特点
高功率增益
低噪声系数
高转换频率
镀金保证了出色的可靠性。
应用
RF前端的应用程序，在GHz范围内，如
模拟和数字蜂窝式电话，无绳电话
（CT2 ， CT3 ， PCN ，DECT等），雷达探测器，寻呼机
卫星电视调谐器（ SATV ） 。
钉扎
描述
针
BFG505W
1
2
3
4
集热器
BASE
辐射源
辐射源
BFG505W/X
集热器
辐射源
BASE
辐射源
手册， halfpage
4
3
描述
在一个4针NPN硅平面外延晶体管
双发射SOT343N塑料封装。
1
2
MBK523
记号
类型编号
BFG505W
BFG505W/X
快速参考数据
符号
V
CBO
V
CES
I
C
P
合计
h
FE
C
re
f
T
G
UM
|S
21
|
2
F
参数
集电极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
直流电流增益
反馈电容
跃迁频率
最大单边
功率增益
插入功率增益
噪音科幻gure
T
s
≤
85
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V
I
C
= 0; V
CB
= 6 V ; F = 1 MHz的
发射极开路
集电极 - 发射极目标电压r
BE
= 0
条件
CODE
N0
N1
顶视图
Fig.1简化外形SOT343N 。
分钟。
60
15
典型值。马克斯。单位
120
0.2
9
19
12
16
1.9
20
15
18
500
250
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
V
V
mA
mW
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
= Γ
选择
; I
C
= 1.25毫安; V
CE
= 6 V ; F = 2 GHz的
1998年10月2日
2
