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分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D123
BFG505W ; BFG505W / X
NPN 9 GHz宽带晶体管
产品speci fi cation
取代1995年8月数据
1998年10月2日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
BFG505W ; BFG505W / X
特点
高功率增益
低噪声系数
高转换频率
镀金保证了出色的可靠性。
应用
RF前端的应用程序，在GHz范围内，如
模拟和数字蜂窝式电话，无绳电话
（CT2 ， CT3 ， PCN ，DECT等），雷达探测器，寻呼机
卫星电视调谐器（ SATV ） 。
钉扎
描述
针
BFG505W
1
2
3
4
集热器
BASE
辐射源
辐射源
BFG505W/X
集热器
辐射源
BASE
辐射源
手册， halfpage
4
3
描述
在一个4针NPN硅平面外延晶体管
双发射SOT343N塑料封装。
1
2
MBK523
记号
类型编号
BFG505W
BFG505W/X
快速参考数据
符号
V
CBO
V
CES
I
C
P
合计
h
FE
C
re
f
T
G
UM
|S
21
|
2
F
参数
集电极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
直流电流增益
反馈电容
跃迁频率
最大单边
功率增益
插入功率增益
噪音科幻gure
T
s
≤
85
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V
I
C
= 0; V
CB
= 6 V ; F = 1 MHz的
发射极开路
集电极 - 发射极目标电压r
BE
= 0
条件
CODE
N0
N1
顶视图
Fig.1简化外形SOT343N 。
分钟。
60
15
典型值。马克斯。单位
120
0.2
9
19
12
16
1.9
20
15
18
500
250
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
V
V
mA
mW
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
= Γ
选择
; I
C
= 1.25毫安; V
CE
= 6 V ; F = 2 GHz的
1998年10月2日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
BFG505W ; BFG505W / X
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
参数
热阻结到焊接点
条件
T
s
≤
85
°C;
注1
价值
180
单位
K / W
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
结温
T
s
≤
85
°C;
见图2 ;注1
R
BE
= 0
集电极开路
条件
发射极开路
65
分钟。
马克斯。
20
15
2.5
18
500
+150
175
V
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
手册， halfpage
600
MBG248
P合计
（ mW）的
400
200
0
0
50
100
150
牛逼S（ C）
o
200
图2功率降额曲线。
1998年10月2日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
BFG505W ; BFG505W / X
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
f
T
C
c
C
e
C
re
G
UM
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家泄漏电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极电容
发射极电容
反馈电容
最大单边功率增益;
注1
条件
I
C
= 2.5
A
; I
E
= 0
I
E
= 2.5
A;
I
C
= 0
V
CB
= 6 V ;我
E
= 0
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V见图3
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C;
见图5
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 6 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CB
= 6 V ; F = 1兆赫;
见图4
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
|S
21
|
2
F
插入功率增益
噪音科幻gure
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
Γ
s
= Γ
选择
; I
C
= 1.25毫安; V
CE
= 6 V;
F = 900兆赫
Γ
s
= Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V;
F = 900兆赫
Γ
s
= Γ
选择
; I
C
= 1.25毫安; V
CE
= 6 V;
F = 2 GHz的
P
L1
ITO
笔记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零。
UM
2. I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ;
L
= 50
;
T
AMB
= 25
°C;
f
p
= 900 MHz的; F
q
= 902 MHz的;
在2F测
p
f
q
= 898 MHz和2楼
q
f
p
= 904兆赫。
输出功率为1 dB增益
压缩
三阶截点
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;
R
L
= 50
;
T
AMB
= 25
°C
注2
分钟。
20
15
2.5
60
15
典型值。
120
9
0.3
0.4
0.2
19
12
16
1.2
1.6
1.9
4
10
MAX 。 UNIT
50
250
1.7
2.1
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
V
V
V
nA
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 10
A;
R
BE
= 0
S
21 2
=
10日志------------------------------------------------ --------------分贝。
(
1
–
S
11 2
) (
1
–
S
22 2
)
1998年10月2日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
BFG505W ; BFG505W / X
手册， halfpage
250
MRA639
手册， halfpage
0.4
MLC032
的hFE
200
c重新
（PF ）
0.3
150
0.2
100
0.1
50
0
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
0
0
2
4
6
8
10
VCB （ V）
V
CE
= 6 V.
I
C
= 0; F = 1兆赫。
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
反馈电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
MLC033
手册， halfpage
12
fT
（千兆赫）
8
VCE = 6 V
VCE = 3V
4
0
10
1
1
10
I C （毫安）
10
2
F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.5
过渡频率的函数
集电极电流;典型值。
1998年10月2日
5
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