INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUV26A
图2外形尺寸（ unindicated公差为0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUV26A
固电
导½
半
图2外形尺寸（ unindicated公差为0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUV26A
图2外形尺寸（ unindicated公差为0.1mm ）
3
半导体
BUV26 - BUV26A
硅功率晶体管
高速， NPN型功率晶体管在TO -220信封。它们被用于快速
切换应用，例如高频率和效率的转换器，开关稳压器
和马达控制。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
价值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
t
T
j
T
英镑
评级
BUV26
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流
功耗
结温
存储温度范围
t
p
= 10ms的
85
150
t
p
= 10ms的
I
E
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
180
90
7
14
25
4
6
65
单位
BUV26A
200
100
5
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
-65到150
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
热特性
符号
R
THJ - MB
评级
从结点到安装基座
BUV26
BUV26A
价值
1.76
单位
° C / W
29/09/2012
半导体COMSET
1|3
半导体
BUV26 - BUV26A
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
价值
符号
I
CEX
I
EBO
V
CE0sust
评级
集电极截止
电流（ *）
发射极截止
当前
集电极 - 发射极
维持电压
集电极 - 发射极
饱和电压
测试条件（S ）
民
BUV26
V
CE
=V
CESmax
V
BE
= 1.5V ，T
J
= 125°C BUV26A
BUV26
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
BUV26A
BUV26
I
B
= 0 , I
C
= 0.2 A
L = 25毫亨
BUV26A
BUV26
I
C
= 6 A，I
B
= 600毫安
I
C
= 5 A，I
B
= 500毫安
BUV26A
I
C
= 12 A，I
B
= 1.2 A
BUV26
I
C
= 10 A，I
B
= 1 A
BUV26A
I
C
= 6 A，I
B
= 600毫安
BUV26
I
C
= 5 A，I
B
= 500毫安
BUV26A
I
C
= 12 A，I
B
= 1.2 A
BUV26
I
C
= 10 A，I
B
= 1 A
BUV26A
-
-
90
100
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
-
-
0.6
0.5
1.5
1
1.2
1.2
2
1.5
mA
mA
V
V
CE （ SAT ）
V
V
BE （ SAT ）
基射
饱和电压
V
开关时间
符号
t
on
t
关闭
t
f
评级
开启时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件（S ）
民
对于BUV26
I
C
= 12 A，V
CC
= 50 V
I
B1
= 1.2 A，I
B2
= 2 A
对于BUV26A
I
C
= 10 A，V
CC
= 50 V
I
B1
= 1 A，I
B2
= 2 A
BUV26
BUV26A
BUV26
BUV26A
BUV26
BUV26A
-
-
-
价值
典型值
0.4
0.5
0.12
单位
最大
0.8
1.2
0.4
s
（*） Mesured用半正弦波电压（曲线示踪） 。
29/09/2012
半导体COMSET
2|3
半导体
BUV26 - BUV26A
机械数据案例TO- 220
外形尺寸（mm ）
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
P
R
S
T
U
9,90
15,65
13,20
6,45
4,30
2,70
2,60
15,75
1,15
3,50
-
0,46
2,50
4,98
2.49
0,70
马克斯。
10,30
15,90
13,40
6,65
4,50
3,15
3,00
17.15
1,40
3,70
1,37
0,55
2,70
5,08
2.54
0,90
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
包
BASE
集热器
辐射源
集热器
修订后的2012年8月
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3|3
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