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ADuC845/ADuC847/ADuC848
使用Flash / EE数据存储器
4 KB闪存/ EE数据存储器的配置为1024
页,每页为4个字节。与其它ADuC845 / ADuC847 /
ADuC848外设,接口这个存储空间是通过
一组寄存器映射到SFR空间。 A组4
数据寄存器( EDATA1-4 )保存4字节的数据在每
页。页面经由EADRH和EADRL寻址
寄存器。最后, ECON是一个8位的控制寄存器,它可以是
写有九个Flash / EE存储器存取命令之一
触发不同的读,写,擦除和验证功能。块
在SFR接口闪速/电擦除数据存储器阵列的图
示于图32 。
ECON - Flash / EE存储器控制SFR
无论是编程闪速/电擦除数据存储器或Flash / EE
程序存储器是通过Flash / EE存储器完成
控制SFR ( ECON ) 。这SFR允许用户读取,写入,
擦除,或验证4K字节闪速/电擦除数据存储器或中
56 KB的闪存/ EE程序存储器。
3FFH
3FEH
1个字节
(0FFCH)
1个字节
(0FF8H)
2字节
(0FFDH)
2字节
(0FF9H)
BYTE 3
(0FFEH)
BYTE 3
(0FFAH)
4个字节
(0FFFH)
4个字节
(0FFBH)
页面地址
( EADRH / L)的
03H
02H
01H
00H
1个字节
(000CH)
1个字节
(0008H)
1个字节
(0004H)
1个字节
(0000H)
2字节
(000DH)
2字节
(0009H)
2字节
(0005H)
2字节
(0001H)
BYTE 3
(000EH)
BYTE 3
(000AH)
BYTE 3
(0006H)
BYTE 3
(0002H)
4个字节
(000FH)
4个字节
(000BH)
4个字节
(0007H)
4个字节
(0003H)
EDATA1 SFR
EDATA2 SFR
EDATA3 SFR
图32.闪速/电擦除数据存储器的控制和配置
表32. ECON - Flash / EE存储器命令
ECON价值
01H读
02H写
命令说明
(正常模式,上电默认)
在Flash / EE数据存储器4字节,由处理
页地址EADRH / L时,被读入EDATA1-4 。
结果在4个字节中EDATA1-4被写入到
闪速/电擦除数据存储器,在给出的页面地址
EADRH ( 0
EADRH < 0400H ) 。需要注意的是,在所述的4个字节
正在处理的页面必须预先擦除。
版权所有。
验证在EDATA1-4的数据被包含在
通过EADRH / L给定的页面地址。随后的一个读
在ECON SFR的结果在0正在读取如果验证
是有效的,或一个非零值被读出,以指示一
无效的验证。
闪速/电擦除数据存储器地址的4个字节的页被擦除
由页地址EADRH /升。
4字节闪速/电擦除数据存储器被擦除。
在Flash / EE数据存储器的字节,由处理
字节地址EADRH / L时,被读入到EDATA1 (0
EADRH / L
0FFFH).
在EDATA1字节写入到Flash / EE数据存储器
在字节地址EADRH /升。
配置了ECON说明(如上图)进行操作
闪速/电擦除数据存储器。
进入ULOAD模式;随后ECON说明
操作上的闪速/电擦除程序存储器。
命令说明
( ULOAD模式)
未实现。使用MOVC指令。
字节0到内部的XRAM 255写入256字节的
闪速/电擦除程序存储器时,所给出的页面地址
EADRH / L( 0
EADRH / L < E0H ) 。
注意,被寻址的页的256字节必须是
预擦除。
版权所有。
未实现。使用MOVC和MOVX指令
验证软件写。
03H
04H校验
05H擦除页
06H擦除所有
81H ReadByte
的闪速/电擦除程序存储器64字节页的处理
字节地址EADRH / L被擦除。一个新的页面开始时EADRL
等于00H , 80H ,或C0H 。
整个56字节ULOAD被删除。
未实现。使用MOVC指令。
82H WriteByte
0FH EXULOAD
F0H ULOAD
在EDATA1的字节,在写入的Flash / EE程序存储器
字节地址EADRH / L( 0≤ EADRH / L ≤ DFFFH ) 。
进入正常模式,指导后续的ECON的说明
操作闪速/电擦除数据存储器。
启用ECON指令对Flash / EE操作
程序存储器。 ULOAD输入模式。
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04741-0-032
字节
地址
在给出
括号
EDATA4 SFR

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