位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1833页 > ADUC847BS62-5 > ADUC847BS62-5 PDF资料 > ADUC847BS62-5 PDF资料2第52页
ADuC845/ADuC847/ADuC848
例如：编程的闪速/电擦除数据存储器
用户想编程F3H插入网页03H的第二个字节
的闪速/电擦除数据存储器空间，同时保留其他
3个字节已经在这个页面。闪存/ EE的一个典型的程序
数据阵列包括
1.
2.
3.
设置EADRH / L与该网页的地址。
写入数据要被编程到EDATA1-4 。
写ECON SFR用相应的命令。
Flash / EE存储器时序
是典型的编程和擦除时间的部分如下：
正常模式（闪存/ EE数据存储器进行操作）
命令
受影响的字节
READPAGE
4个字节
25个机器周期
WRITEPAGE
4个字节
380 s
VERIFYPAGE
4个字节
25个机器周期
ERASEPAGE
4个字节
2毫秒
EraseAll
4字节
2毫秒
readbyte
1个字节
10个机器周期
writebyte
1个字节
200 s
ULOAD模式（闪速/电擦除程序存储器操作）
WRITEPAGE
256字节
15毫秒
ERASEPAGE
64字节
2毫秒
EraseAll
56字节
2毫秒
writebyte
1个字节
200 s
第1步：设置页面地址
地址寄存器EADRH和EADRL保持高位
地址和页面的低字节地址进行寻址。
汇编语言来设置可能会出现的地址
MOV EADRH ，＃0
MOV EADRL ， ＃ 03H
;设置页地址指针
第2步：设置EDATA寄存器
写四个值被写入到所述页面到四个
特殊功能寄存器EDATA1-4 。不幸的是，用户不知道3
对他们。因此，用户必须阅读的当前页并覆盖
第二个字节。
MOV ECON ，
#1
;阅读页到EDATA1-4
MOV EDATA2 ， ＃ 0F3H ;覆盖2字节
第3步：程序页
在Flash / EE存储器阵列中的一个字节只能编程，如果有
先前被擦除。具体地讲，一个字节可以被编程
只有当它已经持有的价值FFH 。由于闪速/电擦除的
建筑，这擦除必须发生在一个页面级;因此，
至少4个字节（ 1页）被删除时，擦除
命令被启动。一旦页面被擦除，用户可以
编程的页内的4个字节，然后执行的验证
的数据。
MOV
MOV
MOV
MOV
ECON ， ＃ 5
ECON ， ＃ 2
ECON ， ＃ 4
A， ECON
;擦除页
;写页
[验证页面
;检查是否ECON = 0 （好！ ）
注意，在给定工作模式时立即开始为
命令字写入ECON SFR 。核心微
控制器的操作是空闲的，直到所请求的节目/读
或擦除模式完成。在实践中，这意味着即使
虽然操作的Flash / EE存储器模式通常是
用两个机器周期MOV指令开始（写
在ECON SFR ） ，下一条指令不执行，直到
闪速/电擦除操作完成。这意味着，核心不能
响应中断请求，直到闪速/电擦除操作
完成后，虽然核心外设功能，如计数器/
定时器继续计数，在此期间的配置。
虽然4K字节闪速/电擦除数据存储器是工厂预
抹去，也就是说，字节位置设置为FFH ，这是良好的编程
练习包括ERASEALL例程中的任何一部分
配置/设置代码的部分运行。一个ERASEALL
命令包含写06H到ECON SFR ，哪
启动4 KB的Flash / EE存储器阵列擦除。此命令
编码将显示为8051汇编语言
MOV ECON ， ＃ 06H
;擦除所有命令
; 2ms的持续时间
版本A |第52页108
