特定网络阳离子

（续）

在T

A

= + 25 ° C，V

S

= + 3V ，单端输入，采样率= 20MHz时，除非另有说明。

ADS900E

参数

准确性

增益误差

输入失调

电源抑制（增益）

电源抑制（偏移）

内部正参考电压

内部负参考电压

电源要求

电源电压： + V

S

电源电流： + I

S

功耗

功耗（关机）

热阻，

θ

JA

28引脚SSOP

条件

温度

+25°C

满

满

满

满

满

满

满

满

25°C

满

民

典型值

8

15

55

62

+1.75

+1.25

+3

18

54

52

10

50

最大

±10

±60

单位

％ FS

mV

dB

dB

V

V

V

mA

mW

mW

mW

° C / W

被称为理想的中间值

V

S

= +10%

42

42

操作

操作

操作， + 3V

+3V

+2.7

+3.7

22

66

注： （ 1 ）无杂散动态范围指的是最大的谐波幅度。 （ 2 ） dBFS的分贝意味着相对于满量程。 （ 3 ）双音互调

失真被称为最大基音。该号码将被6分贝更高，如果它被称为双音基本包络的幅度。 （4）任何

翻转位。

绝对最大额定值

+V

S

....................................................................................................... +6V

模拟输入................................................ ............................... + V

S

+0.3V

逻辑输入................................................ ................................. + V

S

+0.3V

外壳温度................................................ ......................... + 100°C

结温................................................ .................... + 150°C

存储温度................................................ ..................... + 150°C

静电

放电敏感度

这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown

建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作

和安装程序，会造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降

完成设备故障。精密集成电路可能

更容易受到伤害，因为很小的参数

变化可能导致设备不能满足其公布

特定连接的阳离子。

封装/订购信息

产品

ADS900E

包

28引脚SSOP

包

制图

数

(1)

324

温度

范围

-40 ° C至+ 85°C

注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参阅数据结束

片，或的Burr-Brown IC数据手册附录C 。

3

ADS900