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83C51KB高性能单片机键盘
6.5
外部数据存储器读周期
外部数据存储器写周期波形
ALE
T
LHLL
PSEN #
T
LLWL
WR #
T
AVLL
T
LLAX
端口0
A0 -A7从RI或DPL
T
AVWL
端口2
P2.0 - P2.7或A8 - A15从DPH
A8 - A15 FROM PCH
A4256-01
T
RLWH
T
WHLH
T
QVWX
T
QVWH
数据输出
T
WHQX
A0 - A7 FROM PCL
INSTR 。在
图6.外部数据存储器写周期
6.6测试特性
V
负载
+ 0.1 V
V
负载
V
负载
– 0.1 V
时序参考
要点
V
OH
– 0.1 V
V
OL
+ 0.1 V
对于计时的目的,端口引脚不再浮动时,
从负载电压为100mV发生变化,并开始向浮
当从装载伏的100mV的变化
OH
/V
OL
水平发生
与我
OL /
I
OH
= ±20 mA的电流。
A4243-01
图7.浮球波形
18

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