开关特性
V
CC
= 5V ± 5 ％ （ +5伏选项） ，V
CC
= 3.3V ± 0.3V （ +3.3伏可选） ，C
L
= 50pF的，T
A
= 0 70 ° C（商业） ， -40 85°C （工业级）
-12
符号
t
AC
(1)
t
ACH
t
AQX
t
ASC
t
ASR
t
C
t
C1
t
CAE
t
CAH
t
CH
t
CHR
t
CHW
t
CQV
t
CQX
t
CRP
t
CWL
t
DH
t
DMH
t
DMS
t
DS
t
GQV
(1)
t
GQX
(2,3)
t
GQZ
(4,5)
t
MH
t
密歇根州立大学
t
NRH
t
NRS
t
PC
t
RAC
(1)
t
RAC1
(1)
t
RAC2
(1,6)
t
RAH
t
RE
列地址访问时间
列地址有效到/ CAL无效（写周期）
列地址更改为输出数据无效
列地址设置时间
行地址建立时间
行启用循环时间
行启用循环时间，缓存命中（行= LRR ） ，读周期只有
列地址锁存活动时间
列地址保持时间
列地址锁存器高时间（透明锁存器）
/ CAL无效交货期为/ RE无效（写周期只）
列地址锁存器高到写使能低（可多写）
列地址锁存器高到数据有效
列地址锁存器无效到数据无效
列地址锁存建立时间排启用
/ WE低/ CAL无效
数据输入保持时间
面膜保持时间从行启动（写每比特）
面具建立时间排启用（写每比特）
数据输入建立时间
输出启用访问时间
输出使能到输出驱动时间
输出关断延迟从输出禁用（ / G ↑ ）
/ F和W / R模式选择保持时间
/ F和W / R模式选择设置时间
/ CAL ， / G ，W / R ，和/ WE保持时间/ RE-仅刷新
/ CAL ， / G ，W / R ，和/ WE建立时间/ RE-仅刷新
列地址锁存周期时间
行启用访问时间，在高速缓存缺失
行启用访问时间，在缓存命中（限换成T
AC
)
行启用访问时间为一个缓存写入命中
行地址保持时间
行启用活动时间
1
30
100000
0
0
0
5
0
5
12
30
15
30
1.5
35
5
5
5
0
1
5
5
5
5
5
0
0
0
5
0
5
15
12
5
5
5
55
20
5
0
5
-2
0
15
5
5
5
0
1.5
5
5
-15
最大
12
15
5
5
5
65
25
6
0
5
-2
0
17
描述
民
民
最大
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
5
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
35
17
35
ns
ns
ns
ns
100000
ns
1-24
