增强
特点
s
s
s
内存系统公司
DM2202 / 2212 EDRAM
1MB ×4增强的动态RAM
产品speci fi cation
2Kbit SRAM高速缓存内存为12ns随机读取在一个页面
为30ns的访问任何新页快速的4Mbit DRAM阵列
写张贴注册为12ns随机写入和突发写入
在一个页面（点击或小姐）
s
256字节宽的DRAM SRAM总线为14.2千兆字节/秒高速缓存
补
s
片上高速缓存命中/小姐比较保持缓存一致性
在写入
s
s
s
s
s
s
s
隐预充电和刷新周期
写每比特选项（ DM2212 ）的奇偶校验和视频应用
扩展64ms的刷新周期为低待机功耗
300军用塑料SOJ以及TSOP- II封装选项
+5和+3.3伏电源电压选项
低功耗，自刷新模式选项
工业级温度范围选项
描述
4MB的增强型DRAM（EDRAM ）将原始速度
创新架构可提供最佳性价比的解决方案
对于高性能本地或系统主存储器。在大多数高
速度的应用，可以在不实现无等待状态的表现
二级高速缓存SRAM ，没有在交错的主存储器银行
系统时钟速度通过50MHz的。双向交错将使无糖
等待状态运行的时钟速度大于100MHz的无
需要二级SRAM缓存。在EDRAM优于传统
SRAM高速缓存加上DRAM内存系统通过最大限度地减少处理器的等待
国家对所有可能的公交车事件，不只是缓存命中率。组合
数据和地址锁存，快速片上SRAM高速缓存2K ，和
简化片上高速缓存控制使得系统级的灵活性，
性能好，不具备任何存储整体成本降低
其他高密度存储器的组成部分。建筑相似性
JEDEC的DRAM允许单个内存控制器设计，支持
无论是缓慢的JEDEC DRAM或高速EDRAMs 。设计的系统
这种方式可以提供一个简单的升级路径，以提高系统
性能。
架构
该EDRAM架构有一个简单的集成的SRAM高速缓存
这使得它能够操作很像一个页模式或静态列
DRAM 。
的EDRAM的SRAM高速缓存集成在DRAM阵列的
紧密耦合的行寄存器。内存读取总是从发生
缓存行寄存器。当内部比较器检测到一个页面命中，
只有SRAM的访问和数据是在从塔为12ns可用
地址。当检测到页读未命中，则新的DRAM行是
加载到高速缓存和数据可在输出所有内
从行能为30ns 。在页面中的后续读取（突发读取
或随机读）可以继续在为12ns周期时间。由于读取发生
从SRAM高速缓冲存储器，所述DRAM预充电可以同时进行
而不会降低性能。与芯片上的刷新计数器
独立刷新总线允许在被刷新的EDRAM
缓存中读取。
内存写入内部张贴在为12ns ，并引导到
DRAM阵列。在写命中，芯片上的地址比较
激活到SRAM高速缓冲存储器，以维持一个并行写入路径
工作原理图
A
0-8
列解码器
TSOP -II引脚
CON组fi guration
COLUMN
添加
LATCH
11位
COMP
检测放大器
&栏写选择
/G
I / O
控制
和
数据
锁存器
DQ
0-3
/S
行解码器
内存
ARRAY
(2048 X 512 X 4)
/ WE
NC
A
0
NC
A
1
NC
A
3
A
4
NC
A
5
/ RE
V
CC
V
SS
V
SS
A
6
A
7
A
8
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
SS *
V
SS
V
SS
DQ
0
DQ
1
DQ
2
NC
DQ
3
/G
V
CC
V
CC
V
SS
V
SS
/ WE
/S
/F
NC
W / R
NC
/ CAL
A
10
NC
SOJ引脚
CON组fi guration
/ CAL
512 ×4高速缓存（行注册）
A
0
A
1
A
3
A
4
A
5
/ RE
V
CC
V
SS
A
6
A
7
A
8
A
2
A
9
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
/G
V
CC
V
SS
/ WE
/S
/F
W / R
/ CAL
A
10
A
0-10
LAST
ROW
读
添加
LATCH
ROW
添加
LATCH
/F
W / R
/ RE
A
0-9
行添加
和
刷新
控制
刷新
计数器
V
CC
V
SS
A
2
NC
A
9
V
CC
V
CC*
*保留供将来使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
加强储备，恕不另行通知，以更改或终止本产品的权利。
1996增强的内存系统公司，
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO
电话
（ 800 ） 545 -DRAM ;
传真
（ 719 ） 488-9095 ; http://www.csn.net/ramtron/enhanced
80921
38-2107-002
