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数据表
PD29F032202AL-X
32M - BIT的CMOS低电压双操作闪存
4M - WORD ×8位（字节模式） / 2M -字×16位（字模式）
MOS集成电路
描述
该
PD29F032202AL - X是有组织的33554432位和71扇区闪存。该内存部门
可以在低电压下被擦除（2.7 3.3伏， 3.0到3.6伏），从单一的电源，或者在内容提供
整个芯片可以被擦除。两种模式的内存组织， BYTE模式（ 4,194,304字
×
8位）和字
模式（ 2,097,152字
×
16位） ，是可选择的，以使存储器能以字节或字为单位进行编程。
该
PD29F032202AL - X可以同时其内容被擦除或编程来读取。存储器单元是
分为两个存储体。而在一个银行扇区被擦除或编程，数据可以从其他读取
银行由于同时执行的架构。该银行是4M位和28M位。
该闪存有两种类型。该T形具有位于最高地址（扇区）的引导扇区和
B型具有最低地址（部门）的引导扇区。
因为
PD29F032202AL -X使引导扇区被擦除，这是理想的，用于存储引导程序。在
另外，程序代码，用于控制快闪存储器也可以存储，并且该程序代码可以是
编程或擦除，而不需要将其加载到RAM中。提供用于存储参数的八个小行业，
每一个都可以被擦除的8K字节单元。
一旦编程或擦除命令序列已被执行，自动程序或自动擦除
函数在内部自动执行的程序或擦除和验证。
因为
PD29F032202AL -X的可电擦除或写入的指令编程时，数据可以是
重编程的板上之后闪速存储器已被安装在系统中，使得它适合于大范围的
应用程序。
该闪存是装在一个48引脚塑料TSOP （ I）和63引脚FBGA封装胶带。
特点
两个银行的组织，可以同时执行程序/擦除和读取
银行组织： 2银行（ 4M位+ 28M位）
存储结构： 4,194,304字
×
8位（字节模式）
2,097,152字
×
16位（字模式）
行业组织： 71扇区（ 8K字节/ 4K字
×
8个扇区， 64K字节/ 32K字
×
63个扇区）
2种部门的组织
T类：引导扇区分配到最高地址（部门）
B型：引导扇区分配给最低地址（部门）
三态输出
自动计划
计划暂停/恢复
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供应及其他信息。
一号文件M14911EJ7V0DS00 （第7版）
发布日期2002年9月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
2001
