数据表

PD29F032202AL-X

32M - BIT的CMOS低电压双操作闪存

4M - WORD ×8位（字节模式） / 2M -字×16位（字模式）

MOS集成电路

描述

该

PD29F032202AL - X是有组织的33554432位和71扇区闪存。该内存部门

可以在低电压下被擦除（2.7 3.3伏， 3.0到3.6伏），从单一的电源，或者在内容提供

整个芯片可以被擦除。两种模式的内存组织， BYTE模式（ 4,194,304字

×

8位）和字

模式（ 2,097,152字

×

16位） ，是可选择的，以使存储器能以字节或字为单位进行编程。

该

PD29F032202AL - X可以同时其内容被擦除或编程来读取。存储器单元是

分为两个存储体。而在一个银行扇区被擦除或编程，数据可以从其他读取

银行由于同时执行的架构。该银行是4M位和28M位。

该闪存有两种类型。该T形具有位于最高地址（扇区）的引导扇区和

B型具有最低地址（部门）的引导扇区。

因为

PD29F032202AL -X使引导扇区被擦除，这是理想的，用于存储引导程序。在

另外，程序代码，用于控制快闪存储器也可以存储，并且该程序代码可以是

编程或擦除，而不需要将其加载到RAM中。提供用于存储参数的八个小行业，

每一个都可以被擦除的8K字节单元。

一旦编程或擦除命令序列已被执行，自动程序或自动擦除

函数在内部自动执行的程序或擦除和验证。

因为

PD29F032202AL -X的可电擦除或写入的指令编程时，数据可以是

重编程的板上之后闪速存储器已被安装在系统中，使得它适合于大范围的

应用程序。

该闪存是装在一个48引脚塑料TSOP （ I）和63引脚FBGA封装胶带。

特点

两个银行的组织，可以同时执行程序/擦除和读取

银行组织： 2银行（ 4M位+ 28M位）

存储结构： 4,194,304字

×

8位（字节模式）

2,097,152字

×

16位（字模式）

行业组织： 71扇区（ 8K字节/ 4K字

×

8个扇区， 64K字节/ 32K字

×

63个扇区）

2种部门的组织

T类：引导扇区分配到最高地址（部门）

B型：引导扇区分配给最低地址（部门）

三态输出

自动计划

计划暂停/恢复

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件M14911EJ7V0DS00 （第7版）

发布日期2002年9月NS CP （ K）

日本印刷

商标

5

表示主要修改点。

2001

PD29F032202AL-X

解锁绕道程序

自动擦除

芯片擦除

扇区擦除（扇区可自由组合）

擦除挂起/恢复

编程/擦除完成检测

通过检测数据轮询和触发位

检测通过RY （ / BY ）引脚

行业组保护

任何类别组可以保护

任何受保护类别组可以是临时的无保护

扇区可用于启动应用程序

硬件复位和待机使用/ RESET引脚

自动休眠模式

引导块保护部门通过/ WP （ ACC ）引脚

符合通用闪存接口（CFI）

额外的一次性保护部门提供的

PD29F032202AL

存取时间

NS （ MAX 。 ）

工作电源

电压

V

电源电流

（主动模式）

MA（ MAX 。 ）

读

-A85TX ， -A85BX

-B85TX ， -B85BX

85

3.0 3.6

2.7到3.3

16

编程/擦除

30

5

待机电流

A（ MAX 。 ）

工作环境温度： -25 + 85°C

编程/擦除时间

程序： 9.0

S /字节（ TYP 。 ）

11.0

S /字（ TYP 。 ）

扇区擦除：

编程/擦除周期： 10万次

0.3秒（ TYP 。 ） （ 4K字部门） ， 0.5秒（ TYP 。 ） （ 32K字扇区）

编程/擦除周期： 300,000次

0.5秒（ TYP 。 ） （ 4K字部门） ， 0.7秒（ TYP 。 ） （ 32K字扇区）

编程/擦除周期： 300,000次（ MIN 。 ）

2

数据表M14911EJ7V0DS

PD29F032202AL-X

订购信息

产品型号

存取时间

NS （ MAX 。 ）

操作

电源电压

V

引导扇区

包

PD29F032202ALGZ-A85TX-MJH

PD29F032202ALGZ-A85BX-MJH

PD29F032202ALF9-A85TX-BS2

PD29F032202ALF9-A85BX-BS2

PD29F032202ALGZ-B85TX-MJH

PD29F032202ALGZ-B85BX-MJH

PD29F032202ALF9-B85TX-BS2

PD29F032202ALF9-B85BX-BS2

85

3.0 3.6

顶部地址（Sector ）

（T型）

底部地址（Sector ）

（B型）

顶部地址（Sector ）

（T型）

底部地址（Sector ）

（B型）

48引脚塑料TSOP （ I） （ 12

×

20)

（通常弯曲）

63引脚FBGA TAPE （ 11

×

7)

2.7到3.3

顶部地址（Sector ）

（T型）

底部地址（Sector ）

（B型）

顶部地址（Sector ）

（T型）

底部地址（Sector ）

（B型）

48引脚塑料TSOP （ I） （ 12

×

20)

（通常弯曲）

63引脚FBGA TAPE （ 11

×

7)

备注

对于行业组织的地址，请参阅第

行业组织/扇区地址表。

数据表M14911EJ7V0DS

3

PD29F032202AL-X

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

48引脚塑料TSOP （ I） （ 12

×

20 ）（普通弯曲）

[

PD29F032202ALGZ - A85TX - MJH ]

[

PD29F032202ALGZ - A85BX - MJH ]

[

PD29F032202ALGZ - B85TX - MJH ]

[

PD29F032202ALGZ - B85BX - MJH ]

侧面标

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A9

A8

A19

A20

/ WE

/ RESET

NC

/ WP （ ACC ）

RY （ / BY ）

A18

A17

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

A16

/ BYTE

GND

I / O15 ， A- 1

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

V

CC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

/ OE

GND

/ CE

A0

A0到A20

I / O15 ， A- 1

/ CE

/ WE

/ OE

/ BYTE

/ RESET

RY （ / BY ）

/ WP （ ACC ）

V

CC

GND

NC

记

：地址输入

： 15数据输入/输出（字模式）

LSB地址输入（字节模式）

：芯片使能

：写使能

：输出使能

：模式选择

：硬件复位输入

：准备就绪（忙）输出

：写保护（加速）输入

：电源电压

：地面

：无连接

I / O0到I / O14 ：数据输入/输出

记

一些信号可以被应用，因为该管脚没有连接到该芯片的内侧。

备注

请参阅

封装图纸

为1针索引标记。

4

数据表M14911EJ7V0DS

PD29F032202AL-X

63引脚FBGA TAPE （ 11

×

7)

[

PD29F032202ALF9-A85TX-BS2]

[

PD29F032202ALF9-A85BX-BS2]

[

PD29F032202ALF9-B85TX-BS2]

[

PD29F032202ALF9-B85BX-BS2]

顶视图

顶视图

底部视图

底部视图

8

7

6

5

4

3

2

1

A B C D E F G H J K L M

A B C D E F G H

A

B

C

A

D

B

E

C

NC

A14

A13

A10

A9

NC

A20

A18

RY （ / BY ）

A6

A18

A2

A5

A2

M L 歼轰G F E D C B A

顶视图

F

G

顶视图

D

NC

A15

A14

A11

A10

A19

A20

A5

A17

A1

A4

A1

E

A16

A16

SA

I/O7

I/O6

I/O5

I/O2

I/O0

I/O1

A0

V

SS

A0

G F E D C B A

H

F

J

G

K

H

GND

I/O14

I/O6

I/O5

I/O4

首席信息官

I/O3

I/O11

I/O1

I/O2

GND

I/O8

L

M

8

7

6

5

4

3

2

1

NC

NC

NC

8

NC

7

6

5

4

3

NC

NC

NC

NC

NC

NC

2

NC

1

A15

A13

A12

A12

A11

A9

A8

A19

A8

/ WE

/ RESET

CE2s

/ WE

RY （ / BY ） / WP （ ACC ）

/ WP （ ACC ） / RESET

A7

A17

/磅

/ UB

A4

A3

A7

A6

A3

CIOf

V

SS

/ BYTE I / O15 ， A- 1

I / O15 ， A- 1 I / O7

I/O13

I/O14

I/O13

I/O12

I/O12

V

CC

I/O4

V

CC

s

I/O11

I/O10

I/O3

V

CC

f

I/O9

I/O8

I/O9

I/O10

/ OE

/ CE

/ OE

I/O0

/ CEF

/CE1s

NC

NC

NC

NC

A0到A20

I / O15 ， A- 1

/ CE

/ WE

/ OE

/ BYTE

/ RESET

RY （ / BY ）

/ WP （ ACC ）

V

CC

GND

NC

记

：地址输入

： 15数据输入/输出（字模式）

LSB地址输入（字节模式）

：芯片使能

：写使能

：输出使能

：模式选择

：硬件复位输入

：准备就绪（忙）输出

：写保护（加速）输入

：电源电压

：地面

：无连接

I / O0到I / O14 ：数据输入/输出

记

一些信号可以被应用，因为该管脚没有连接到该芯片的内侧。

备注

请参阅

封装图纸

为索引标记。

输入/输出引脚功能

请参阅

双操作闪存32M位的序列信息（ M14914E ） 。

数据表M14911EJ7V0DS

5

信息

双操作闪存

32M位系列

一号文件M14914EJ4V0IF00 （第4版）

发布日期2002年10月NS CP （ K）

日本印刷

2000

[备忘录]

2

信息M14914EJ4V0IF

内容概要

第1章

第2章

第3章

第4章

第5章

第6章

第7章

输入/输出引脚功能............................................. .................................... 13

BUS OPERATIONS........................................................................................................ 14

COMMANDS................................................................................................................... 18

硬件序列标志位............................................... ................................. 28

硬件数据保护............................................... ................................ 31

时序CHARTS............................................................................................................ 32

FLOW CHARTS.............................................................................................................. 39

信息M14914EJ4V0IF

3

CMOS设备的注释

1

ESD防护措施用于半导体

注意：

强电场，当暴露于一个MOS器件，可引起破坏栅氧化物和

从而影响设备的运行。因此必须采取措施制止产生的静电

尽可能地，立即释放一次出现时。环境控制

要足够。如果空气干燥，应当使用增湿器。建议避免使用

绝缘体，因为它们容易产生静电。半导体器件必须被储存和运输

在防静电容器，抗静电屏蔽袋或导电材料。所有的测试和测量

工具，包括工作台和工作面必须良好接地。操作人员应使用接地

腕带。半导体器件不能用手直接接触。类似的防范措施

应采取的PW板就可以了半导体器件。

2

操作处置未使用的输入引脚的CMOS

注意：

对于CMOS设备的输入端未连接可导致误操作。如果未提供连接

到输入引脚，它可能是一个内部输入电平会由于噪声产生等，从而

从而导致故障。 CMOS器件的操作特性与Bipolar或NMOS设备。输入电平

CMOS的设备必须是固定的高或低使用上拉或下拉电路。每一个未使用

引脚应连接到V

DD

或GND之间的电阻，如果考虑到有可能

作为一个输出引脚。所有的处理涉及到未使用的引脚必须由设备来判断设备和

规范说明设备。

3

初始化之前的状态的MOS器件

注意：

上电，并不一定限定MOS器件的初始状态。 MOS的生产工艺

不定义该设备的初始操作状态。紧接之后的电源是

导，具有复位功能的装置还没有被初始化。因此，上电呢

不能保证输出引脚的电平， I / O设置和寄存器的内容。设备直到初始化

接收复位信号。复位操作后必须立即开机的设备执行

具有复位功能。

4

信息M14914EJ4V0IF

本文档中的信息是截至10月， 2002年的信息如有

更改，恕不另行通知。在实际设计时，请参阅各产品的数据表或最新出版

数据手册等，为NEC半导体产品的最先进的最新规格。不是所有的

产品和/或型号都向每个国家供应。请与本公司销售代表查询

供应及其他信息。

本文件的任何部分不得复制或转载于任何形式或未经事先任何手段

NEC的书面同意。 NEC承担，可能会出现在本文档中的任何错误不承担任何责任。

NEC不承担侵权专利，版权或其他知识产权的任何法律责任

第三方通过或由于使用本公司产品本文档或任何其他上市所产生的

从使用这些产品而产生的法律责任。没有许可证，明示，暗示或其他，根据授予的任何

专利，版权或NEC或他人的其他知识产权。

提供用于说明电路，软件和本文件中的相关信息的描述

半导体产品操作和应用实例。这些纳入

电路，软件和信息在客户设备的设计应在全面完成

客户的责任。 NEC不承担招致顾客或第三方的任何损失承担任何责任

从使用这些电路，软件和信息时造成当事人。

虽然本公司致力于提高半导体产品，客户的质量，可靠性和安全性

同意并确认缺陷的可能不能完全消除。为了最大限度地减少

损坏的财产或人身伤害（包括死亡）的风险，而产生的缺陷NEC人士

半导体产品，客户必须在设计过程中应加强安全措施，比如

冗余度，防火和防故障功能。

NEC半导体产品分为以下三个质量等级：

＆ QUOT ;标准＆ QUOT ;，＆ QUOT ;特殊＆ QUOT ;和＆ QUOT ;比＆ QUOT ;.在＆ QUOT ;比＆ QUOT ;只有质量等级适用于半导体产品

开发了基于客户指定的"quality保证program"针对特定应用程序。该

半导体产品的推荐用途取决于其质量等级，详见如下。

在一个特定的使用之前，客户必须检查每个半导体产品的质量等级

应用程序。

＆ QUOT ;标准＆ QUOT ;：计算机，办公自动化设备，通信设备，测试和测量设备，音频

·视频设备，家用电子电器，机械工具，个人电子设备

工业机器人

＆ QUOT ;特殊＆ QUOT ;：运输设备（汽车，火车，船舶等） ，交通控制系统，防灾

系统，防止犯罪系统，安全设备和医疗设备（不包括专门设计的

生命支持）

＆ QUOT ;比＆ QUOT ;:飞机，航空航天设备，海底中继设备，原子能控制系统，生命

支持系统和生命支持等医疗设备

NEC半导体产品的质量等级是"Standard"除非在NEC的明确规定

数据表或数据手册等，如果客户希望使用NEC半导体产品的应用中不

旨在通过NEC ，他们必须联系本公司销售代表预先确定NEC的意愿

支持一个给定的应用程序。

（注）

（1） ＆ QUOT ; NEC ＆ QUOT ;作为本声明中表示NEC公司，也包括其控股子公司。

（ 2 ） ＆ QUOT ; NEC半导体产品＆ QUOT ;指任何半导体产品的开发或由或为制造

NEC公司（如上所定义） 。

M8E 00 4

信息M14914EJ4V0IF

5