飞利浦半导体
产品speci fi cation
逻辑电平TOPFET
SMD版BUK112-50GL的
过载特性
T
mb
= 25 ℃; V
PS
= 5V ，除非另有说明
符号
I
D
P
D（ TO ）
E
DSC
I
DM
参数
负载短路保护
漏电流限制
过载功率门限
1
特征能量
峰值漏极电流
3
过热保护
T
J（下TO ）
临界温度
I
D
≥
1 A
150
条件
V
IS
= 5 V
V
DS
= 13 V
-40C
≤
T
mb
≤
150C
分钟。
12
-
-
-
BUK111-50GL
典型值。
24
100
200
45
马克斯。
36
-
-
-
单位
A
W
mJ
A
为保护操作
这就决定了行程时间
2
V
DD
= 13 V ;
L
≤
10 m
185
215
C
FLAG特性
该标志是它需要一个外部上拉电路的开路漏极晶体管。
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
FSF
I
FSF
I
FSO
V
（CL）的FS
V
PSF
参数
标志“低”
国旗电压
旗饱和电流
旗'高'
标记漏电流
旗钳位电压
保障供应门槛
电压
4
应用信息
R
F
合适的外部上拉
阻力
V
FF
= 5 V
-
50
-
k
条件
正常运行; V
PS
= 5 V
I
F
= 100
A
-40C
≤
T
mb
≤
150C
V
FS
= 5 V
过载或故障
V
FS
= 5 V
I
F
= 100
A
I
F
= 100
A;
V
DS
= 5 V
-40C
≤
T
mb
≤
150C
T
mb
= 150C
-
-
6
2.5
2
0.1
1
6.9
3
-
1
10
-
4
4
A
A
V
V
V
-
-
-
0.7
-
10
-
0.9
-
V
V
mA
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1
请参考图15 。
2
旅行时间t
SC
≈
E
DSC
/ [ P
D
- P
D（ TO ）
] 。另请参阅图15 。
3
对于负载短路导通后连接。
4
当V
PS
小于V
PSF
标志引脚指示低保护电压。请参考真值表。
1996年9月
5
启1.000
