飞利浦半导体
产品speci fi cation
逻辑电平TOPFET
SMD版BUK112-50GL的
BUK111-50GL
2
II /毫安
BUK111-50GL
2
IP / MA
BUK111-50GL
1.5
1.5
1
1
0.5
0.5
0
0
0
1
2
3
4
VIS / V
5
6
7
8
0
1
2
3
4
VPS / V
5
6
7
8
图18 。典型的直流输入特性。
I
I
= F（V
IS
）正常运行;牛逼
j
= 25C
国际空间法研究所/ MA
BUK111-50GL
图21 。典型的保护电源的特点。
I
P
= F（V
PS
） ;正常或超负荷运行;牛逼
j
= 25C
IF / MA
BUK111-50GL
8
7
6
5
4
3
2
1
0
2
1.5
1
0.5
0
0
1
2
3
4
VIS / V
5
6
7
8
0
1
2
3
4
VFS / V
5
6
7
8
图19 。典型的直流输入特性，T
j
= 25C.
I
ISL
= F（V
IS
）过载保护锁存; V
PS
= 5 V
VIS （ TO ） / V
图22 。典型的旗高的特点，T
j
= 25C.
I
F
= F（V
FS
） ;参考真值表
IF /微安
BUK111-50GL
200
马克斯。
2
150
典型值。
100
1
分钟。
50
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
TJ / C
80
100
120 140
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
VFS /女
0.5
0.6
0.7
0.8
图20 。输入阈值电压。
V
IS （TO）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= 5 V
图23 。典型的标志低的特点，T
j
= 25C.
I
F
= F（V
FS
); V
PS
= 5 V ;参考真值表
1996年9月
10
启1.000
