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用户总线操作
读取模式
该Am29LV800有三个控制功能这
必须是为了在输出端获得的数据SATIS网络编辑：
s
CE是功率控制和应使用
设备选择（ CE = V
IL
)
s
OE为输出控制和应使用栅
如果选择了设备的数据到输出引脚
（ OE = V
IL
)
s
我们仍然在V
IH
地址访问时间（t
加
）等于从延迟
稳定地址有效输出数据。芯片使能
访问时间（吨
CE
）是从稳定的地址的延迟
和稳定的CE到输出引脚的有效数据。在输出
把能够访问时间（t
OE
）是从下降沿继续延迟
荷兰国际集团OE的有效数据的边缘，输出引脚
（假设该地址一直稳定在至少
t
加
– t
OE
时间）。
待机模式中， I / O引脚保持在高im-数据
独立的电压电平的pedance状态下施加
在OE输入。见DC特性部分
在待机模式的更多细节。
取消CE （ CE = V
IH
或V
CC
±
0.3 V ，具有复位
= V
IH
或V
CC
±
0.3 V ） ，将会使系统进入了我
CC3
待机模式。如果该设备是在一个取消
嵌入式算法
操作时，它会继续
吸取有功功率（我
CC2
） ，在进入待机
模式，直到操作完成。随后
该设备为活动操作重选
（ CE = V
IL
）将根据交流时间开始
特定连接的阳离子。
自动休眠模式
先进的电源管理功能，如
自动休眠模式，最大限度地减少闪存器件的能量
C 0 N s个ü M·P T I O 4 N 。牛逼hisis前tremelyimportantin
电池供电的应用。该Am29LV800自动
matically使低功率，自动睡眠
当地址保持稳定， 200 ns的模式。自动
马蒂奇睡眠模式是独立的的CE ，WE，并
OE控制信号。典型的睡眠模式电流消耗为
200 nA的（对于CMOS兼容的操作） 。标准
地址访问时序提供了新的数据时，
地址被改变了。而在睡眠模式下，输出
数据被锁存并始终可用的系统。
待机模式
该Am29LV800设计为容纳两个
模式，提供低待机功耗。两
模式是通过施加的电压特定网络连接编启用
以下为行政长官和RESET引脚。这些模式
可使用TTL / NMOS或CMOS逻辑电平DE-
的迹象。在科幻RST模式下，我
CC3
为TTL / NMOS兼容的I /
锇（消耗电流<1毫安最大） ，通过使能
施加TTL逻辑电平'1' （Ⅴ
IH
）的CE控制引脚
与RESET = V
IH
. I
CC3
对于CMOS兼容的I / O
（消耗电流<5
A
最大） ，使能时，
CMOS逻辑电平'1' （Ⅴ
CC
±
0.3伏）被施加给CE
控制引脚RESET = V
CC
±
0.3五，而在我
CC3
输出禁用
如果在OE输入处于逻辑高电平（V
IH
从输出）
该设备被禁用。这将导致输出管脚
处于高阻抗状态。
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Am29LV800T/Am29LV800B
