TRF7610
硅MOSFET功率放大器IC，适用于GSM
SLWS059B - 1997年5月 - 修订1998年8月
概要
VD1/VD2
RFIN
13, 24
6, 7
15 – 22
RFOUT/VD3
3或10
VPC
4或9的
VG1
1, 12
VG2
2或11
VG3
终端功能
终奌站
名字
GND
NC
RFIN
RFOUT / VD3
号
14, 23
5, 8
6, 7
15, 16, 17,
18, 19, 20,
21, 22
4, 9
1, 12
2, 11
3, 10
13, 24
I
I / O
I / O
描述
模拟地对所有内部电路。所有信号都参考接地端子。
无内部连接。建议在所有NC端子被连接到地。
RF输入。 RFIN接受800兆赫至1000兆赫之间的信号。
RF输出和第三
-
舞台漏极偏置。 RFOUT需要一个外部匹配网络。
VG1
VG2
VG3
VPC
VD1 / VD2
I
I
I
I
I
第一次
-
舞台栅极偏压由电阻设定。任一终端可以使用一个或两者可从外部连接。
第二
-
舞台栅极偏压由电阻设定。这些端子必须外接。
第三
-
舞台栅极偏压由电阻设定。任一终端可以使用一个或两者可从外部连接。
电压功率控制。 VPC是0 V和3 V之间的信号调节输出功率的典型
43 dBm至35 dBm的 - 的价值。任一终端可以使用，或两者可从外部连接。
第一次
-
和第二
-
舞台漏极偏置。这些端子必须外接。
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.6 V至8 V
输入电压范围， VPC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.6 V至24 V
输入功率RFIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13 dBm的
热阻，结到外壳，R
θJC
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5 ° C / W
结温，T
J
最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
工作的自由空气的温度范围内，T
A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
- 40 ° C至85°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.电压值相对于GND 。
2.没有空气流动和散热片无限
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
