TRF7610
硅MOSFET功率放大器IC，适用于GSM
SLWS059B - 1997年5月 - 修订1998年8月
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单正电源（无负
电压要求）
先进的硅区域渔业管理组织技术
4.8 V工作于GSM应用
35 dBm的典型输出功率
30 - dB的典型功率增益
40 ％的典型PAE与5 - dBm的输入功率
45 ％的典型PAE与8 dBm的输入功率
输出功率控制
所需的少量的外部元件
手术
耐热增强型表面贴装
包电路板面积小
坚固耐用，维持20 ：1的负载不匹配
800 MHz至1000 MHz的宽工作
频带
低待机电流（ < 10
A)
PWP封装
（ TOP VIEW ）
VG2
VG3
VPC
VG1
NC
RFIN
RFIN
NC
VG1
VPC
VG3
VG2
1
2
3
4
5
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8
9
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12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VD1/VD2
GND
RFOUT/VD3
RFOUT/VD3
RFOUT/VD3
RFOUT/VD3
RFOUT/VD3
RFOUT/VD3
RFOUT/VD3
RFOUT/VD3
GND
VD1/VD2
NC - 无内部连接
描述
该TRF7610是硅MOSFET功率放大器IC，适用于900 MHz的应用程序，专为全球定制
系统用于移动通信系统（GSM ） 。它采用德州仪器区域渔业管理组织工艺，由一个
三级放大器具有输出功率控制。少量的外部元件即可工作。
该TRF7610放大从前述的调制器中的RF部分中的RF信号和上转换器阶段
发射机到一个电平，其足以用于连接到天线。在RF输入端口， RFIN ，以及RF
输出端口， RFOUT ，需要简单的外部匹配网络。
适用于VPC输入的控制信号斜坡RF输出功率向上或向下，以满足坡道和杂散
排放规格为时分多址（TDMA）系统。功率控制的信号引起
改变输出功率之间的0V和3V。施加到的VPC上的电压变化随着RF输入功率
从一个典型的值加到RFIN在5 dBm时，从0V调节VPC到3V提高输出功率
- 43 dBm的在VPC = 0 V至35 dBm为在VPC = 3 V正向隔离的典型值与RF输入功率
适用于RFIN在5 dBm时， VPC = 0V ，通常是48分贝。
该TRF7610是采用热增强型，表面贴装24引脚使用PowerPad （ PWP ）薄膜收缩
小外形封装（ TSSOP ） 。它的特点是操作从 - 40 ° C至85°C工作自由空气
温度。为了维持可接受的热工作条件下，该装置应在操作
脉冲应用如GSM标准的1/8占空比。包装上有一条焊垫，提高了
通过垫贴合于外部热平面封装的热性能。该垫还充当
低电感接地电路，并且必须电连接到所述印刷电路板（PCB ）
地平面的延续被指定GND正规包装的终端。
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
区域渔业管理组织和使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1998年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
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