VNQ830P
SO- 28热阻抗交界处的环境单脉冲
ZT H（ ℃/ W）
1000
一个通道开启
两个通道开
在同一芯片
100
0.5厘米
2
6厘米
2
10
1
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
牛逼IME （ S）
10
100
1000
一个四通道HSD热拟合模型
在SO- 28
Tj_1
C1
C2
C3
C4
C5
C6
脉冲计算公式
Z
该
= R
TH
δ
+ Z
THtp
(
1 –
δ )
哪里
δ
= t
p
T
0.5
0.15
0.8
4.5
11
15
5
0.0006
2.10E-03
6.00E-03
0.2
1.5
5
150
6
R1
Pd1
R2
R3
R4
R5
R6
热物性参数
区/岛（厘米
2
)
R1 = R7 = R13 = R15 （ ° C / W）
R 2 = R 8 = R 14 = R 16 （ ℃/ W）的
R3 = R9 （ ° C / W）
R4 = R10 （ ° C / W）
R5 = R11 （ ° C / W）
R6 = R12 （ ° C / W）
C1 = C7 = C13 = C15 （ W.S / ° C）
C 2 = C 8 = C 14 = C 16 （ W.S /℃）
C3 = C9 （ W.S / ° C）
C4 = C10 （ W.S / ° C）
C5 = C11 （ W.S / ° C）
C6 = C12 （ W.S / ° C）
R17 = R18 （ ° C / W）
Tj_2
Pd2
C13
C14
R13
R14
R17
R18
Tj_3
Pd3
C7
C8
C9
C10
C11
C12
R7
R8
R9
R10
R11
R12
13
Tj_4
Pd4
C15
C16
R15
R16
T_AMB
8
17/20
