M
VNQ830P
四通道高端驱动器
目标特定网络阳离子
TYPE
VNQ830P
（*）每每个信道
R
DS （ ON）
65 m (*)
I
OUT
6 A (*)
V
CC
36 V
CMOS兼容输入
s
开漏状态输出
s
ON状态负载开路检测
s
关闭状态下负载开路检测
s
负载短路保护
s
欠压和过压
关闭
s
接地保护缺失
s
极低的待机电流
s
s
SO- 28 （双岛）
订购代码
包
管
VNQ830P
T&R
VNQ830P13TR
电池反接保护（ ** ）
SO-28
描述
该VNQ830P是由HSD形成了四
组装2 VND830芯片中相同的SO- 28
封装。该VND830是一个单片器件
意法半导体的VIPower M0-3 |用做
技术。该VNQ830是用于驱动
单面任何类型的多个负载的连接
到地面。
积极V
CC
引脚电压钳位保护器件
绝对最大额定值
符号
V
CC
- V
CC
- I
GND
I
OUT
- I
OUT
I
IN
I
STAT
参数
对低能量尖峰（见ISO7637瞬间
兼容性表） 。有源电流限制
结合热关断和自动
重启防止过载的设备。
设备检测到既在开放负载状态
和关断状态。输出短路到V
CC
在检测
断开状态。设备的情况下自动关闭
的接地引脚断开。
直流电源电压
反向直流电源电压
DC反向接地引脚电流
直流输出电流
反向DC输出电流
DC输入电流
直流电流状态
静电放电（人体模型： R = 1.5KΩ ; C = 100pF的）
- 输入
- 状态
- 输出
- V
CC
最大开关能量
（L = 1.5mH ，R
L
=0; V
BAT
= 13.5V ;牛逼
的jStart
= 150℃ ;我
L
=9A)
功耗（每个岛）在T
领导
=25°C
结工作温度
储存温度
价值
41
- 0.3
- 200
内部限制
-6
+/- 10
+/- 10
4000
4000
5000
5000
85
6.25
内部限制
- 55 150
单位
V
V
mA
A
A
mA
mA
V
V
V
V
mJ
W
°C
°C
V
ESD
E
最大
P
合计
T
j
T
英镑
（ ** ）请参见第9页的应用原理
2003年10月 - 修订版1.2 （工作文件）
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这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
