LTC4354
应用S我FOR ATIO
在研发最坏的情况下功耗
IN
:
(72V
10.5V)
2
P
=
=
0.315W
12k
选择一个12K的电阻0.5W或使用两个5.6K 0.25W
串联电阻。
接着，选择的N沟道MOSFET 。在100V ， IRF3710S
在D
2
Pak封装为R
DS （ ON）
= 23mΩ （最大）提供
很好的解决方案。其两端的最大电压为：
V
= （ 5A） （ 23mΩ ） = 115mV
在FET的最大功耗是一个单纯的：
P = （ 5A） （ 115mV ） = 0.6W
R1和R2被选择为2k的保护DA和DB销
造成损坏，可能会发生高电压尖峰
在输入电源故障。
GND
DA
1
V
A
= –5.2V
V
B
= –5.2V
DB
8
U
发光二极管，D1需要的电流至少为1mA至完全导
上，因此R 3被设定为33K ，以适应最低输入
-36V的电源电压。
布局的注意事项
铺设时，以下的建议，应考虑
在印刷电路板的LTC4354 。
旁路电容器提供交流电流给该设备，以便
把它作为靠近V
CC
和V
SS
销越好。该
输入到伺服放大器， DA，DB和V
SS
销，应
可以使用直接连接到MOSFET的端子
开尔文连接良好的精度。
保持痕迹宽而短的MOSFET的。在PCB
过MOSFET与功率路径相关联的痕迹
应具有低的电阻。
-5.2V二极管或控制器
3
V
CC
LTC4354
GA
4
GB
6
故障
V
SS
2, 5
C
IN
1F
D1
LED
4354 TA02
W
U
U
R3
2k
7
负载
M1
Si4466DY
M2
Si4466DY
4354f
9
