LTC4354
应用S我FOR ATIO
系统电源故障
LTC4354自动提供负载电流从
制度供给与更多的负输入端的潜力。如果
该电源被短路到返回侧，有较大的反向
从它的导通晶体管的电流流动。当此相反
的电压降两端的漏电流产生-60mV
和传输晶体管的源极引脚， LTC4354驱动器
低栅快速将其关闭。
其余的系统电源将提供负载
电流通过它的传输晶体管的体二极管，直到
通道打开。 LTC4354的斜门和
导通的N沟道MOSFET ，以降低电压
砸穿过它，这个过程只需要不到1毫秒depend-
决于MOSFET的栅极电荷。
漏电阻
两个电阻器是需要保护的DA和DB销
瞬态电压高于80V 。在该情况下，当
与低电位的电源被短路到返回
侧由于供应失败，反向电流流过简要
通过导通晶体管的其他供应器，显示
对输出电容充电。该电流储存能量的
杂散电感沿电流路径。一旦通
晶体管截止时，该能量将强制排水termi-
的FET高纳尔直到它到达击穿电压。
–48V_RTN
R
IN
12k
0.5W
3
V
CC
LTC4354
DA
1
R1
2k
V
A
V
B
DB
8
R2
2k
GA
4
GB
6
故障
V
SS
2, 5
C
IN
1F
D1
LED
4354 F01
图1. -36V到-72V / 5A设计实例
8
U
如果该电压高于80V时，内部ESD器件
在DA和DB引脚可能会打破，成为
损坏。外部漏电阻器的电流限制在
入销和保护的ESD器件。 2K的电阻
推荐用于48V的应用。较大的电阻值
增加源漏感的阈值电压因
输入电流在漏针。
环路稳定性
伺服回路是由寄生电容补偿
tance功率N沟道MOSFET的。没有进一步的COM
补偿元件通常要求。在该情况下
当用非常小的寄生电容的MOSFET是
选择一个1000pF的电容补偿连接
在栅极和源极引脚可能是需要的。
设计实例
下面演示所涉及的计算
在-36V选择组件-72V系统， 5A
最大负载电流，参见图1 。
首先，选择输入降压电阻。电阻
应允许的电流2毫安与在-36V电源。
R
IN
≤
(36 V
11.5V)
=
12.25k
2mA
最近的低5 ％，值是12K 。
R3
33k
TO
模块
输入
7
M1
IRF3710S
M2
IRF3710S
4354f
W
U
U
