LTC4354
TI I G DIAGRA
V
DX
– V
SS
V
门
t
关闭
单操作
高可用性系统通常采用并联
电源或电池馈电，以实现冗余
并提高系统的可靠性。或运算二极管一直是
在点连接这些设备的流行方式
负载。这种方法的缺点是显著
正向电压降和产生效率损失。这
下降降低了供电电压，功耗
显著的力量。一个理想的电路会表现得像
二极管，但没有电压降，并由此产生
功耗。
的LTC4354是负电压的二极管或控制器
驱动两个外部N沟道MOSFET的通
晶体管来取代ORing二极管。这些MOSFET
在源极引脚连接在一起。常见
源节点被连接至V
SS
销是
负电源设备。它也被连接到
放大器的正输入，控制大门
调节跨导通晶体管的电压降。
采用N沟道MOSFET取代肖特基二极管
降低了功耗，并且无需为
昂贵的散热片或大热的布局在高功率
应用程序。
在上电时，初始负载电流流过
MOSFET的体二极管，并返回到与供给
较低端电压。相关门将销
立即开始斜坡上升并打开MOSFET。
该放大器试图规范之间的电压降
源极和漏极连接到30mV 。如果负载电流
导致多于一滴为30mV ，栅极上升到进一步
6
W
400mV
–100mV
2V
4354 TD01
U
UW
增强的MOSFET 。最终的MOSFET栅极
从动充分的和的电压降等于给R
DS （ ON）
I
负载
.
当电源电压几乎相等，这
规技术确保了在负载电流
它们之间共享平稳无振动。该
电流水平流过每个通路晶体管DE-
暂时搁置在R
DS （ ON）
MOSFET和输出的
阻抗用品。
在电源故障的情况下，例如，如果供应不
传导大部分电流的一部分或全部被短路到
返回侧，一个大的反向电流开始流过
在MOSFET即上，从任何负载电容和
通过其他的MOSFET的体二极管，该
第二个电源。该LTC4354检测到这种故障情况
一旦它出现和关闭MOSFET在小于
为1μs 。这个快速关断防止反向电流从
斜坡达到破坏性的水平。
在该情况下，导通晶体管完全导通，但
其两端的电压降超过故障阈值时，所述
FAULT引脚变为高阻态。这允许LED或
光电耦合器来打开，指示其中一个或两个
旁路晶体管都失败了。
该LTC4354是从系统地通过供电
限流电阻。一个内部并联稳压器，
可吸收高达20mA夹在V
CC
销至11V以上的V
SS
.
跨V A 1μF旁路电容
CC
和V
SS
引脚过滤器
供应瞬态和供给交流电流的设备。
4354f
