* VDD / VDDQ = 2.8V *
K4D26323RA-GC
功能说明
上电顺序
128M DDR SDRAM
的DDR SDRAM必须被加电并以预定的方式初始化，以防止未定义操作。
1.接通电源，并保持CKE低状态（所有其它输入可以是不确定的）
- VDDQ之前申请VDD 。
- VREF & VTT之前申请VDDQ
2.启动时钟和保持稳定的条件，最低为200us 。
3. 200us的稳定的电源和时钟（ CK，CK ）后的最小，应用NOP和采取CKE变高。
该设备的所有银行4.发出预充电命令。
5.发出一个EMRS命令启用DLL
6.发行A太太命令重置DLL。新增200个时钟周期需要锁定的DLL 。
该设备的所有银行发行7预充电命令。
8，发行至少2个以上的自动刷新命令。
9.发行模式寄存器设置命令与A8低初始化模式寄存器。
* 1时钟输入的附加200cycles需要使DLL的后锁定DLL 。
*的6&7 2序列是不分先后顺序。
*1
*
1,2
功率高达&初始化顺序
0
CK ， CK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
~
~
~ ~
~
命令
预充电
所有银行
EMRS
太太
复位DLL
预充电
所有银行
第一汽车
刷新
第二届汽车
刷新
~ ~
~
t
RP
2时钟分。
2时钟分。
激进党
t
RFC
t
RFC
~
2时钟分。
模式
寄存器集
任何
命令
~
输入必须
稳定为200us
*当操作频率改变时，复位DLL应该再次需要。
后的DLL再次复位，最小200个循环的时钟输入的，需要以锁定该DLL。
~
~
200时钟分。
- 8 -
2.0版本（ 2003年1月）
