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2SJ506 （L） 2SJ506 （S）

硅P沟道MOS场效应晶体管

高速电源开关

ADE-208-548

目标指标第一。版

特点

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 0.065

（典型值）。（在V

GS

= -10V ，我

D

= –5A)

低驱动电流

高速开关

4V栅极驱动装置。

概要

DPAK–2

4

D

4

1 2

G

3

1 2

S

3

1.门

2.漏

3.源

4.漏

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