VP0808B / L / M ， VP1008B / L / M
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
–10
V
DS
= –5 V
I
D
- 漏电流（mA ）
160
–1
T
J
= 150_C
25_C
125_C
–0.1
–55_C
- 电容（pF ）
阈值区域
200
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
电容
120
C
国际空间站
C
OSS
40
C
RSS
80
–0.01
–1.0
0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
–4.5
0
–10
–20
–30
–40
–50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
–15.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–12.5
–10.0
V
DS
= –50 V
–7.5
–5.0
–2.5
0
0
100
200
300
400
500
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
1
10
–80 V
I
D
= –0.5 A
吨 - 开关时间（纳秒）
100
推动性的影响对切换
t
r
t
f
t
D（关闭）
10
t
D（上）
V
DD
= –25 V
R
L
= 50
W
V
GS
= 0至-10 V
I
D
= -500毫安
20
50
R
G
- 栅极电阻（W）的
100
1
标准化的有效瞬态热阻抗，结到环境（ TO- 226AA ）
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
注意事项：
P
DM
0.01
单脉冲
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 156
_
C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
t
1
t
2
0.01
0.1
1
10
100
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
4
Siliconix公司
P- 37655 -REV 。 B， 25 -JUL- 94
