VP0808B / L / M ， VP1008B / L / M
特定网络阳离子
a
范围
VP0808B/L/M
VP1008B/L/M
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体
门体漏
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
T
J
= 125_C
V
DS
= –80 V, V
GS
= 0 V
–110
–3.4
–80
–2
–4.5
"100
"500
–10
–500
–100
V
–2
–4.5
"100
"500
nA
零栅极电压漏极电流
I
DSS
T
J
= 125_C
V
DS
= –100 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125_C
–10
–500
–2
2.5
4.4
325
0.45
200
–1.1
5
8
200
–1.1
5
8
mA
通态漏电流
c
漏源导通电阻
漏源导通电阻
c
正向跨导
c
常见的来源
输出电导
c
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
g
os
V
DS
= –15 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –1 A
T
J
= 125_C
V
DS
= -10 V，I
D
= –0.5 A
V
DS
= -7.5 V，I
D
= –0.1 A
A
W
mS
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= –25 V, V
GS
= 0 V
25 V
F = 1 MHz的
75
40
18
150
60
25
150
60
25
pF
开关
d
开启
启动时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。牛逼
A
= 25_C除非另有说明。
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
=
–25
V ，R
L
= 47
W
I
D
^
–0 5
A V
根
= -10 V
–0.5
A,
R
G
= 25
W
11
30
20
20
15
40
30
30
15
40
ns
30
30
VPDV10
打开-O FF时间
2
Siliconix公司
P- 37655 -REV 。 B， 25 -JUL- 94
