2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
传输特性
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
V
DS
= 10 V
g
fs
正向跨导（ μS ）
200
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
80
I
D
漏电流（ μA ）
160
T
A
=
55_C
25_C
60
T
A
= 125_C
40
25_C
120
80
125_C
20
55_C
0
0
0.2
0.4
0.8
0.6
V
GS
栅源电压（ V）
1.0
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
GS
栅源电压（ V）
1.0
500
传输特性
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
V
DS
= 10 V
300
g
fs
正向跨导（ μS ）
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
400
I
D
漏电流（ μA ）
T
A
=
55_C
25_C
240
T
A
=
55_C
180
25_C
300
200
120
125_C
60
100
125_C
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅源电压（ V）
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅源电压（ V）
电路的电压增益与漏电流
100
g
fs
R
L
A
V
+
1
)
R G
L OS
10 V
I
D
C
国际空间站
输入电容（pF ）
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
60
2.0
共源输入电容
与栅源电压
F = 1 MHz的
1.6
80
A
V
电压增益
1.2
V
DS
= 0 V
10 V
40
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
0.8
20
2.5
V
0.4
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
栅源电压（ V）
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
www.vishay.com
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