2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
2N4117A
2N4118A
2N4119A
产品概述
产品型号
4117
4118
4119
PN4117A SST4117
PN4118A SST4118
PN4119A SST4119
V
GS （ OFF ）
(V)
0.6
to
1.8
1
to
3
2
to
6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
40
40
40
g
fs
MIN（ ms）的
70
80
100
I
DSS
敏（毫安）
30
80
200
特点
D
D
D
D
超低漏电流： 0.2 pA的
非常低的电流/电压操作
超高输入阻抗
低噪音
好处
D
微不足道的信号丢失/错误电压
与高阻抗源
D
低功耗（电池）
D
最大信号输出，低噪声
D
灵敏度高低电平信号
应用
D
高阻抗传感器
放大器器
D
感烟探测器输入
D
红外检测放大器
D
精密测试设备
描述
在2N / PN / SST4117A系列的n沟道JFET的提供
超高输入阻抗。这些设备都与指定
当1 pA的限制，通常工作在0.2 pA的。这使得它们
用作高阻抗敏感的前端完美的选择
放大器器。
该密封TO - 206AF包允许全
每MIL -S - 19500军处理（见军事
信息） 。在TO- 226A （ TO- 92 ）塑料封装提供
一个低成本的选择。该TO- 236 （ SOT -23 ）封装提供
表面贴装能力。无论是PN和SST系列
在磁带和卷轴自动组装可用（见
包装信息） 。
TO-206AF
(TO-72)
S
1
4
S
C
D
TO-226AA
(TO-92)
TO-236
(SOT-23)
1
D
2
S
2
1
3
G
2
D
顶视图
2N4117A
2N4118A
2N4119A
3
G
G
3
顶视图
PN4117A
PN4118A
PN4119A
顶视图
SST4117 （ T7 ） *
SST4118 （ T8 ） *
SST4119 （ T9 ） *
*标识代码为TO- 236
应用程序信息，请参阅AN105 。
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
www.vishay.com
1
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 源极/栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40V
正向栅电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
存储温度：
（2N前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至175℃
（PN ，SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至150℃
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
功率耗散（案例25_C ） ：
（ 2N前缀）
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
（ PN ， SST前缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
工作结温：
（2N前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至175℃
（PN ，SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至150℃
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
4117
4118
4119
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
G
=
1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
20
V
V
DS
= 0 V
V
GS
=
20
V
V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
GS
=
10
V
V
DS
= 0 V
V
GS
=
10
V
V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
2N
70
40
0.6
30
1.8
90
1
2.5
1
10
2.5
40
1
80
3
240
1
2.5
1
10
2.5
40
2
200
6
600
1
2.5
1
10
2.5
V
mA
pA
nA
0.2
0.4
PN
SST
PN / SST
0.2
0.2
0.03
0.2
0.2
0.7
门
克叔反向电流
C
t
I
GSS
pA
nA
门工作电流
b
排水截止电流
b
门源正向电压
b
I
G
I
D（关闭）
V
GS （ F）
V
DG
= 15 V，I
D
= 30
mA
V
DS
= 10 V, V
GS
=
8
V
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
pA
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
b
g
fs
g
os
C
IISS
C
RSS
e
n
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2N/PN
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
SST
2N/PN
SST
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1.2
1.2
0.3
0.3
15
nV/
√Hz的
NT
1.5
1.5
1.5
70
210
3
3
80
250
5
3
100
330
10
3
pF
mS
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。该参数不符合JEDEC注册。
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2
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1000
I
DSS
饱和漏极电流（ μA ）
300
g
fs
正向跨导（ μS ）
1 nA的
栅极漏电流
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
百毫安
800
240
100 pA的
I
G
栅极泄漏
T
A
= 125_C
10毫安
I
GSS
@ 125_C
百毫安
10毫安
600
g
fs
400
I
DSS
200
180
10 pA的
120
60
1 pA的
T
A
= 25_C
0.1帕
0
6
I
GSS
@ 25_C
0
0
1
2
3
4
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
5
0
12
18
24
V
DG
漏极 - 栅极电压（V ）
30
15
r
DS （ ON）
漏源导通电阻功率（kW ）
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
g
os
5
200
共源正向跨导
与漏电流
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
g
fs
正向跨导（ μS ）
g
os
输出电导（ μS ）
12
r
DS
4
160
T
A
=
55_C
120
125_C
80
25_C
9
3
6
2
3
r
DS
@ I
D
= 10
毫安，
V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1
40
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
0
0
1
2
3
4
5
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
0
0
输出特性
100
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
80
I
D
漏电流（ μA ）
V
GS
= 0 V
0.1
V
0.2
V
40
0.3
V
0.4
V
20
0.5
V
I
D
漏电流（ μA ）
400
500
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
V
GS
= 0 V
300
0.5
V
200
1.0
V
100
1.5
V
2.0
V
60
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏源极电压（ V）
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏源极电压（ V）
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3
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
传输特性
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
V
DS
= 10 V
g
fs
正向跨导（ μS ）
200
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
80
I
D
漏电流（ μA ）
160
T
A
=
55_C
25_C
60
T
A
= 125_C
40
25_C
120
80
125_C
20
55_C
0
0
0.2
0.4
0.8
0.6
V
GS
栅源电压（ V）
1.0
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
GS
栅源电压（ V）
1.0
500
传输特性
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
V
DS
= 10 V
300
g
fs
正向跨导（ μS ）
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
400
I
D
漏电流（ μA ）
T
A
=
55_C
25_C
240
T
A
=
55_C
180
25_C
300
200
120
125_C
60
100
125_C
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅源电压（ V）
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅源电压（ V）
电路的电压增益与漏电流
100
g
fs
R
L
A
V
+
1
)
R G
L OS
10 V
I
D
C
国际空间站
输入电容（pF ）
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
60
2.0
共源输入电容
与栅源电压
F = 1 MHz的
1.6
80
A
V
电压增益
1.2
V
DS
= 0 V
10 V
40
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
0.8
20
2.5
V
0.4
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
栅源电压（ V）
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
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4
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
共源逆向反馈电容
与栅源电压
F = 1 MHz的
C
RSS
逆向反馈电容（pF ）
0.4
Hz
160
0.5
200
等效输入噪声电压与频率的关系
V
DS
= 10 V
en
噪声电压内华达州/
0.3
V
DS
= 0 V
120
I
D
= 10毫安
0.2
10 V
80
V
GS
= 0 V
0.1
40
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
栅源电压（ V）
0
10
100
1k
f
频率（Hz）
10 k
100 k
2
输出电导与漏极电流
20
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（
)
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
导通电阻与漏电流
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
g
os
输出电导（ μS ）
T
A
=
55_C
16
1
125_C
25_C
12
8
2.5
V
4
T
A
= 25_C
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
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5
LS4117 ， 4118 ， 4119
线性集成系统
超高输入阻抗
N沟道JFET
特点
低功耗
最低电路负载
I
DSS
<90
A（ 2N4117 ）
I
GSS
<1 PA（ 2N4117A系列）
D
绝对最大额定值（注1 ）
@ 25 ℃（除非另有说明）
栅极 - 源极或栅极 - 漏极电压
（注1 ）
栅电流
器件总功耗
（减免为2mW / ° C至175 ° C）
存储温度范围
焊接温度
（ 16"分之1案件从10秒）
G
2
3
4
例
G
-40V
50mA
S
D
1
C
S
300mW
-65 ° C到+ 175℃
255°C
TO-72
底部视图
电气特性@ 25
°
℃（除非另有说明）
2N4117/A
2N4118
FN4117/A
2N4118A
符号
特征
MIN MAX MIN
最大
门反向电流
--
-10
--
-10
I
GSS
唯一的标准
--
-25
--
-25
I
GSS
门反向电流
--
-1
--
-1
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
只有"A"系列
栅源击穿电压
栅源截止电压
--
-40
-0.6
-2.5
--
-1.8
0.09
210
3
3
1.5
--
-40
-1
0.08
80
--
--
--
-2.5
--
-3
0.24
250
5
3
1.5
2N4119
2N4119A
最小最大
--
-10
--
-25
--
-1
--
-40
-2
0.20
100
--
--
--
-2.5
--
-6
0.60
330
10
3
1.5
单位
pA
nA
pA
nA
V
mA
条件
V
GS
= -20V V
DS
= 0
150°C
V
GS
=-20V V
DS
= 0
150°C
I
G
=-1A
V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
DS
= 0
I
D
= 1nA的
V
GS
= 0
饱和漏极电流
0.03
（注2 ）
FN4117 / A 0.015
共源转发
70
跨
（注2 ）
共源输出
--
导
共源输入
--
电容
共源反向
--
传输电容
μmho
f=1kHz
V
DS
= 10V
pF
V
GS
= 0
f=1MHz
注意事项：
1.由于对称的几何形状，这些单元可以与源操作和漏极引线互换。
2.此参数是一个2毫秒的间隔施加电源100毫秒后测量的。 （不是JEDEC的条件。 ）
线性集成系统
4042帆船CT，弗里蒙特，CA 94538电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
01/99
B-9
2N4117 ， 2N4117A ， 2N4118 ， 2N4118A ， 2N4119 ， 2N4119A
N沟道硅结型场效应晶体管
音频放大器
日元超高输入阻抗
放大器器
在T绝对最大额定值
A
= 25C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额（ 175° C）
– 40 V
50毫安
300毫瓦
2毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度：
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
2N4117, 2N4118, 2N4119
2N4117A ， 2N4118A ， 2N4119A
门源截止电压
饱和漏电流（脉冲）
2N4117, 2N4118, 2N4119
2N4117A ， 2N4118A ， 2N4119A
动态电气特性
常见的来源前进
跨
共源输出电导
共源输入电容
共源反向
传输电容
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
GSS
2N4117
2N4117A
民
– 40
– 10
–1
– 0.6
0.03
0.015
– 1.8
0.09
0.09
最大
2N4118
2N4118A
民
– 40
– 10
–1
–1
0.08
0.08
–3
0.24
0.24
最大
2N4119
2N4119A
民
– 40
– 10
–1
–2
0.2
0.2
–6
0.6
0.6
最大
单位
V
pA
pA
V
mA
mA
过程NJ01
测试条件
I
G
= - 1μA ，V
DS
= V
V
GS
= – 20V, V
DS
= V
V
GS
= – 20V, V
DS
= V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1 NA
V
DS
= 10V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
70
210
3
3
1.5
80
250
5
3
1.5
100
330
10
3
1.5
S
S
pF
pF
V
DS
= 10V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
TO72套餐
尺寸以英寸（毫米）
引脚配置
1来源， 2漏， 3门， 4保护套
www.interfet.com
1000 N.希洛路，花环，TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
01/99
B-17
2N4867 ， 2N4867A ， 2N4868 ， 2N4868A ， 2N4869 ， 2N4869A
N沟道硅结型场效应晶体管
音频放大器
在T绝对最大额定值
A
= 25C
反向栅源&反向栅极漏极电压
栅电流
连续器件功耗
功率降额
存储温度范围
– 40 V
50毫安
300mW
1.7毫瓦/
- 65 ° C至+ 200℃
在25 ℃的自由空气温度：
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流（脉冲）
动态电气特性
常见的来源前进
跨
共源输出电导
共源输入电容
共源反向
传输电容
相当于短路
输入噪声电压
噪声系数
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
N
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
2N4867
2N4867A
民
– 40
– 0.25
– 0.25
– 0.7
0.4
–2
1.2
最大
2N4868
2N4868A
民
– 40
– 0.25
– 0.25
–1
1
–3
3
最大
2N4869
2N4869A
民
– 40
– 0.25
– 0.25
– 1.8
2.5
–5
7.5
最大
单位
V
nA
A
V
mA
过程NJ16
测试条件
I
G
= - 1μA ，V
DS
= V
V
GS
= – 30V, V
DS
= V
V
GS
= – 30V, V
DS
= V
V
DS
= 20V ，我
D
= 1 A
V
DS
= 20V, V
GS
= V
T
A
= 150°C
700
2000
1.5
25
5
20
10
1
1000
3000
4
25
5
20
10
1
1300
4000
10
25
5
20
10
1
S
S
pF
pF
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
V
DS
= 20V, V
GS
= V
V
DS
= 20V, V
GS
= V
V
DS
= 20V, V
GS
= V
V
DS
= 20V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
NF
dB
(2N4867, 68, 69)
R
G
= 20 k
（ 2N4867A ， 68A ， 69A ）
R
G
= 5 k
TO72套餐
尺寸以英寸（毫米）
表面贴装
SMP4867 ， SMP4867A ， SMP4868 ，
SMP4868A ， SMP4869 ， SMP4869A
引脚配置
1来源， 2漏， 3门， 4保护套
www.interfet.com
1000 N.希洛路，花环，TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
2N4117A
2N4118A
2N4119A
产品概述
产品型号
4117
4118
4119
PN4117A SST4117
PN4118A SST4118
PN4119A SST4119
V
GS （ OFF ）
(V)
0.6
to
1.8
1
to
3
2
to
6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
40
40
40
g
fs
MIN（ ms）的
70
80
100
I
DSS
敏（毫安）
30
80
200
特点
D
D
D
D
超低漏电流： 0.2 pA的
非常低的电流/电压操作
超高输入阻抗
低噪音
好处
D
微不足道的信号丢失/错误电压
与高阻抗源
D
低功耗（电池）
D
最大信号输出，低噪声
D
灵敏度高低电平信号
应用
D
高阻抗传感器
放大器器
D
感烟探测器输入
D
红外检测放大器
D
精密测试设备
描述
在2N / PN / SST4117A系列的n沟道JFET的提供
超高输入阻抗。这些设备都与指定
当1 pA的限制，通常工作在0.2 pA的。这使得它们
用作高阻抗敏感的前端完美的选择
放大器器。
该密封TO - 206AF包允许全
每MIL -S - 19500军处理（见军事
信息） 。在TO- 226A （ TO- 92 ）塑料封装提供
一个低成本的选择。该TO- 236 （ SOT -23 ）封装提供
表面贴装能力。无论是PN和SST系列
在磁带和卷轴自动组装可用（见
包装信息） 。
TO-206AF
(TO-72)
S
1
4
S
C
D
TO-226AA
(TO-92)
TO-236
(SOT-23)
1
D
2
S
2
1
3
G
2
D
顶视图
2N4117A
2N4118A
2N4119A
3
G
G
3
顶视图
PN4117A
PN4118A
PN4119A
顶视图
SST4117 （ T7 ） *
SST4118 （ T8 ） *
SST4119 （ T9 ） *
*标识代码为TO- 236
应用程序信息，请参阅AN105 。
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
www.vishay.com
1
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 源极/栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40V
正向栅电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
存储温度：
（2N前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至175℃
（PN ，SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至150℃
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
功率耗散（案例25_C ） ：
（ 2N前缀）
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
（ PN ， SST前缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
工作结温：
（2N前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至175℃
（PN ，SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至150℃
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
4117
4118
4119
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
G
=
1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
20
V
V
DS
= 0 V
V
GS
=
20
V
V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
GS
=
10
V
V
DS
= 0 V
V
GS
=
10
V
V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
2N
70
40
0.6
30
1.8
90
1
2.5
1
10
2.5
40
1
80
3
240
1
2.5
1
10
2.5
40
2
200
6
600
1
2.5
1
10
2.5
V
mA
pA
nA
0.2
0.4
PN
SST
PN / SST
0.2
0.2
0.03
0.2
0.2
0.7
门
克叔反向电流
C
t
I
GSS
pA
nA
门工作电流
b
排水截止电流
b
门源正向电压
b
I
G
I
D（关闭）
V
GS （ F）
V
DG
= 15 V，I
D
= 30
mA
V
DS
= 10 V, V
GS
=
8
V
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
pA
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
b
g
fs
g
os
C
IISS
C
RSS
e
n
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2N/PN
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
SST
2N/PN
SST
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1.2
1.2
0.3
0.3
15
nV/
√Hz的
NT
1.5
1.5
1.5
70
210
3
3
80
250
5
3
100
330
10
3
pF
mS
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。该参数不符合JEDEC注册。
www.vishay.com
2
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1000
I
DSS
饱和漏极电流（ μA ）
300
g
fs
正向跨导（ μS ）
1 nA的
栅极漏电流
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
百毫安
800
240
100 pA的
I
G
栅极泄漏
T
A
= 125_C
10毫安
I
GSS
@ 125_C
百毫安
10毫安
600
g
fs
400
I
DSS
200
180
10 pA的
120
60
1 pA的
T
A
= 25_C
0.1帕
0
6
I
GSS
@ 25_C
0
0
1
2
3
4
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
5
0
12
18
24
V
DG
漏极 - 栅极电压（V ）
30
15
r
DS （ ON）
漏源导通电阻功率（kW ）
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
g
os
5
200
共源正向跨导
与漏电流
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
g
fs
正向跨导（ μS ）
g
os
输出电导（ μS ）
12
r
DS
4
160
T
A
=
55_C
120
125_C
80
25_C
9
3
6
2
3
r
DS
@ I
D
= 10
毫安，
V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1
40
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
0
0
1
2
3
4
5
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
0
0
输出特性
100
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
80
I
D
漏电流（ μA ）
V
GS
= 0 V
0.1
V
0.2
V
40
0.3
V
0.4
V
20
0.5
V
I
D
漏电流（ μA ）
400
500
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
V
GS
= 0 V
300
0.5
V
200
1.0
V
100
1.5
V
2.0
V
60
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏源极电压（ V）
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏源极电压（ V）
www.vishay.com
3
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
传输特性
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
V
DS
= 10 V
g
fs
正向跨导（ μS ）
200
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
80
I
D
漏电流（ μA ）
160
T
A
=
55_C
25_C
60
T
A
= 125_C
40
25_C
120
80
125_C
20
55_C
0
0
0.2
0.4
0.8
0.6
V
GS
栅源电压（ V）
1.0
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
GS
栅源电压（ V）
1.0
500
传输特性
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
V
DS
= 10 V
300
g
fs
正向跨导（ μS ）
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
400
I
D
漏电流（ μA ）
T
A
=
55_C
25_C
240
T
A
=
55_C
180
25_C
300
200
120
125_C
60
100
125_C
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅源电压（ V）
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅源电压（ V）
电路的电压增益与漏电流
100
g
fs
R
L
A
V
+
1
)
R G
L OS
10 V
I
D
C
国际空间站
输入电容（pF ）
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
60
2.0
共源输入电容
与栅源电压
F = 1 MHz的
1.6
80
A
V
电压增益
1.2
V
DS
= 0 V
10 V
40
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
0.8
20
2.5
V
0.4
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
栅源电压（ V）
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
www.vishay.com
4
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
共源逆向反馈电容
与栅源电压
F = 1 MHz的
C
RSS
逆向反馈电容（pF ）
0.4
Hz
160
0.5
200
等效输入噪声电压与频率的关系
V
DS
= 10 V
en
噪声电压内华达州/
0.3
V
DS
= 0 V
120
I
D
= 10毫安
0.2
10 V
80
V
GS
= 0 V
0.1
40
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
栅源电压（ V）
0
10
100
1k
f
频率（Hz）
10 k
100 k
2
输出电导与漏极电流
20
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（
)
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
导通电阻与漏电流
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
g
os
输出电导（ μS ）
T
A
=
55_C
16
1
125_C
25_C
12
8
2.5
V
4
T
A
= 25_C
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
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5
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
2N4117A
2N4118A
2N4119A
产品概述
产品型号
4117
4118
4119
PN4117A SST4117
PN4118A SST4118
PN4119A SST4119
V
GS （ OFF ）
(V)
0.6
to
1.8
1
to
3
2
to
6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
40
40
40
g
fs
MIN（ ms）的
70
80
100
I
DSS
敏（毫安）
30
80
200
特点
D
D
D
D
超低漏电流： 0.2 pA的
非常低的电流/电压操作
超高输入阻抗
低噪音
好处
D
微不足道的信号丢失/错误电压
与高阻抗源
D
低功耗（电池）
D
最大信号输出，低噪声
D
灵敏度高低电平信号
应用
D
高阻抗传感器
放大器器
D
感烟探测器输入
D
红外检测放大器
D
精密测试设备
描述
在2N / PN / SST4117A系列的n沟道JFET的提供
超高输入阻抗。这些设备都与指定
当1 pA的限制，通常工作在0.2 pA的。这使得它们
用作高阻抗敏感的前端完美的选择
放大器器。
该密封TO - 206AF包允许全
每MIL -S - 19500军处理（见军事
信息） 。在TO- 226A （ TO- 92 ）塑料封装提供
一个低成本的选择。该TO- 236 （ SOT -23 ）封装提供
表面贴装能力。无论是PN和SST系列
在磁带和卷轴自动组装可用（见
包装信息） 。
TO-206AF
(TO-72)
S
1
4
S
C
D
TO-226AA
(TO-92)
TO-236
(SOT-23)
1
D
2
S
2
1
3
G
2
D
顶视图
2N4117A
2N4118A
2N4119A
3
G
G
3
顶视图
PN4117A
PN4118A
PN4119A
顶视图
SST4117 （ T7 ） *
SST4118 （ T8 ） *
SST4119 （ T9 ） *
*标识代码为TO- 236
应用程序信息，请参阅AN105 。
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
www.vishay.com
1
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 源极/栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40V
正向栅电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
存储温度：
（2N前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至175℃
（PN ，SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至150℃
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
功率耗散（案例25_C ） ：
（ 2N前缀）
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
（ PN ， SST前缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
工作结温：
（2N前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至175℃
（PN ，SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至150℃
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
4117
4118
4119
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
G
=
1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
20
V
V
DS
= 0 V
V
GS
=
20
V
V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
GS
=
10
V
V
DS
= 0 V
V
GS
=
10
V
V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
2N
70
40
0.6
30
1.8
90
1
2.5
1
10
2.5
40
1
80
3
240
1
2.5
1
10
2.5
40
2
200
6
600
1
2.5
1
10
2.5
V
mA
pA
nA
0.2
0.4
PN
SST
PN / SST
0.2
0.2
0.03
0.2
0.2
0.7
门
克叔反向电流
C
t
I
GSS
pA
nA
门工作电流
b
排水截止电流
b
门源正向电压
b
I
G
I
D（关闭）
V
GS （ F）
V
DG
= 15 V，I
D
= 30
mA
V
DS
= 10 V, V
GS
=
8
V
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
pA
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
b
g
fs
g
os
C
IISS
C
RSS
e
n
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2N/PN
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
SST
2N/PN
SST
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1.2
1.2
0.3
0.3
15
nV/
√Hz的
NT
1.5
1.5
1.5
70
210
3
3
80
250
5
3
100
330
10
3
pF
mS
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。该参数不符合JEDEC注册。
www.vishay.com
2
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1000
I
DSS
饱和漏极电流（ μA ）
300
g
fs
正向跨导（ μS ）
1 nA的
栅极漏电流
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
百毫安
800
240
100 pA的
I
G
栅极泄漏
T
A
= 125_C
10毫安
I
GSS
@ 125_C
百毫安
10毫安
600
g
fs
400
I
DSS
200
180
10 pA的
120
60
1 pA的
T
A
= 25_C
0.1帕
0
6
I
GSS
@ 25_C
0
0
1
2
3
4
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
5
0
12
18
24
V
DG
漏极 - 栅极电压（V ）
30
15
r
DS （ ON）
漏源导通电阻功率（kW ）
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
g
os
5
200
共源正向跨导
与漏电流
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
g
fs
正向跨导（ μS ）
g
os
输出电导（ μS ）
12
r
DS
4
160
T
A
=
55_C
120
125_C
80
25_C
9
3
6
2
3
r
DS
@ I
D
= 10
毫安，
V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1
40
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
0
0
1
2
3
4
5
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
0
0
输出特性
100
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
80
I
D
漏电流（ μA ）
V
GS
= 0 V
0.1
V
0.2
V
40
0.3
V
0.4
V
20
0.5
V
I
D
漏电流（ μA ）
400
500
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
V
GS
= 0 V
300
0.5
V
200
1.0
V
100
1.5
V
2.0
V
60
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏源极电压（ V）
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏源极电压（ V）
www.vishay.com
3
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
传输特性
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
V
DS
= 10 V
g
fs
正向跨导（ μS ）
200
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
80
I
D
漏电流（ μA ）
160
T
A
=
55_C
25_C
60
T
A
= 125_C
40
25_C
120
80
125_C
20
55_C
0
0
0.2
0.4
0.8
0.6
V
GS
栅源电压（ V）
1.0
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
GS
栅源电压（ V）
1.0
500
传输特性
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
V
DS
= 10 V
300
g
fs
正向跨导（ μS ）
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
400
I
D
漏电流（ μA ）
T
A
=
55_C
25_C
240
T
A
=
55_C
180
25_C
300
200
120
125_C
60
100
125_C
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅源电压（ V）
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅源电压（ V）
电路的电压增益与漏电流
100
g
fs
R
L
A
V
+
1
)
R G
L OS
10 V
I
D
C
国际空间站
输入电容（pF ）
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
60
2.0
共源输入电容
与栅源电压
F = 1 MHz的
1.6
80
A
V
电压增益
1.2
V
DS
= 0 V
10 V
40
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
0.8
20
2.5
V
0.4
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
栅源电压（ V）
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
www.vishay.com
4
2N / PN / SST4117A系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
共源逆向反馈电容
与栅源电压
F = 1 MHz的
C
RSS
逆向反馈电容（pF ）
0.4
Hz
160
0.5
200
等效输入噪声电压与频率的关系
V
DS
= 10 V
en
噪声电压内华达州/
0.3
V
DS
= 0 V
120
I
D
= 10毫安
0.2
10 V
80
V
GS
= 0 V
0.1
40
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
栅源电压（ V）
0
10
100
1k
f
频率（Hz）
10 k
100 k
2
输出电导与漏极电流
20
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（
)
V
GS （ OFF ）
=
2.5
V
导通电阻与漏电流
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
g
os
输出电导（ μS ）
T
A
=
55_C
16
1
125_C
25_C
12
8
2.5
V
4
T
A
= 25_C
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
文档编号： 70239
S- 41231 -REV 。 G， 28军， 04
www.vishay.com
5
LS4117 ， 4118 ， 4119
线性集成系统
超高输入阻抗
N沟道JFET
特点
低功耗
最低电路负载
I
DSS
<90
A（ 2N4117 ）
I
GSS
<1 PA（ 2N4117A系列）
D
绝对最大额定值（注1 ）
@ 25 ℃（除非另有说明）
栅极 - 源极或栅极 - 漏极电压
（注1 ）
栅电流
器件总功耗
（减免为2mW / ° C至175 ° C）
存储温度范围
焊接温度
（ 16"分之1案件从10秒）
G
2
3
4
例
G
-40V
50mA
S
D
1
C
S
300mW
-65 ° C到+ 175℃
255°C
TO-72
底部视图
电气特性@ 25
°
℃（除非另有说明）
2N4117/A
2N4118
FN4117/A
2N4118A
符号
特征
MIN MAX MIN
最大
门反向电流
--
-10
--
-10
I
GSS
唯一的标准
--
-25
--
-25
I
GSS
门反向电流
--
-1
--
-1
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
只有"A"系列
栅源击穿电压
栅源截止电压
--
-40
-0.6
-2.5
--
-1.8
0.09
210
3
3
1.5
--
-40
-1
0.08
80
--
--
--
-2.5
--
-3
0.24
250
5
3
1.5
2N4119
2N4119A
最小最大
--
-10
--
-25
--
-1
--
-40
-2
0.20
100
--
--
--
-2.5
--
-6
0.60
330
10
3
1.5
单位
pA
nA
pA
nA
V
mA
条件
V
GS
= -20V V
DS
= 0
150°C
V
GS
=-20V V
DS
= 0
150°C
I
G
=-1A
V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
DS
= 0
I
D
= 1nA的
V
GS
= 0
饱和漏极电流
0.03
（注2 ）
FN4117 / A 0.015
共源转发
70
跨
（注2 ）
共源输出
--
导
共源输入
--
电容
共源反向
--
传输电容
μmho
f=1kHz
V
DS
= 10V
pF
V
GS
= 0
f=1MHz
注意事项：
1.由于对称的几何形状，这些单元可以与源操作和漏极引线互换。
2.此参数是一个2毫秒的间隔施加电源100毫秒后测量的。 （不是JEDEC的条件。 ）
线性集成系统
4042帆船CT，弗里蒙特，CA 94538电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
N沟道JFET
通用扩增fi er
公司
2N4117 - 2N4119 / 2N4117A - 2N4119A
PN4117 - PN4119 / PN4117A - PN4119A / SST4117 - SST4119
引脚配置
特点
泄漏
低电容
低
TO - 92
TO-72
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
栅极 - 源极或栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+175
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0MW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
G
D
C
S
G
S
SOT-23
G
5007
D
S
产品标识（ SOT -23 ）
SST4117
SST4118
SST4119
T17
T18
T19
订购信息
部分
包
温度范围
-55
o
C至+175
o
C
-55
o
C至+135
o
C
-55
o
C至+135
o
C
-55
o
C至+175
o
C
2N4117-19 / A密封TO- 72
PN4117-19 /塑料TO- 92
SST4117-19塑料SOT- 23
X2N4117-19 /排序的芯片载体
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
BV
GSS
参数
栅源击穿电压
门反向电流
I
GSS
A设备
A设备
V
GS （ OFF ）
I
DSS
g
fs
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
门源夹断电压
漏电流在零电压（注1 ）
共源正向跨导（注1 ）
共源正向跨导（注2 ）
共源输出电导
共源输入电容（注2 ）
共源反向传输电容（注2 ）
-0.6
70
60
3
3
1.5
4117/A
-40
-10
-1
-25
-2.5
-1.8
210
-1
80
70
5
3
1.5
4118/A
-40
-10
-1
-25
-2.5
-3
250
-2
100
90
10
3
pF
1.5
4119/A
-40
-10
-1
-25
-2.5
-6
330
S
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
V
pA
nA
V
mA
测试条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0
V
GS
= -20V, V
DS
= 0
T
A
= +150
o
C
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V ， F = 1kHz时
V
GS
= 0 ， F = 30MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中，f = 1kHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
0.02 0.09 0.08 0.24 0.20 0.60
注：1 。
脉冲测试：测试过程中使用的2毫秒的脉冲持续时间。
2.
仅供设计参考，未经100％测试。
2N4119A
N沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix公司2N4119A
该2N4119A是超高输入阻抗N沟道JFET
该2N4119A提供超高的输入阻抗。该
设备被指定为1 pA的限制，通常
工作在0.2 pA的。的部分是非常适合用作一个高
阻抗敏感前置放大器。
特点是什么？
DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIX2N4119A
低功耗
最低电路负载
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
GateCurrent(Note1)
最大电压不
GatetoDrainorGatetoSource(Note2)
I
DSS
<90A
I
GSS
<1pA
2N4119A优点：
微不足道的信号丢失/错误电压
与高阻抗源
低功耗（电池）
最大信号输出，低噪声
灵敏度高低电平信号
‐65°Cto+175°C
‐55°Cto+150°C
300mW
50mA
‐40V
2N4119A应用范围：
高阻抗传感器
感烟探测器输入
红外检测放大器
精密测试设备
2N4119AELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
（典型值） *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
‐40
‐‐
‐‐
V
I
G
=‐1A,V
DS
=0V
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐2
‐‐
‐6
V
V
DS
=10V,I
D
=1nA
I
DSS
门源饱和电流
0.20
‐‐
0.60
mA
V
DS
=10V,V
GS
=0V
I
GSS
栅极泄漏电流
‐‐
‐‐
‐1
pA
V
GS
=‐20V,V
DS
=0V
‐‐
‐‐
‐2.5
V
GS
=‐20V,V
DS
=0V,150°C
g
fs
ForwardTransconductance(Note3)
100
‐‐
330
μmho
V
DS
=10V,V
GS
=0V,f=1kHz
g
os
输出电导
‐‐
‐‐
10
C
国际空间站
输入电容
‐‐
‐‐
3
pF
V
DS
=10V,V
GS
=0V,f=1MHz
C
RSS
反向传输电容
‐‐
‐‐
1.5
1.Absolutemaximumratingsarelimitingvaluesabovewhich2N4119Aserviceabilitymaybeimpaired.
注。
2.Duetosymmetricalgeometry,theseunitsmaybeoperatedwithsourceanddrainleadsinterchanged
3.Thisparameterismeasuredduringa2msinterval100msafterpowerisapplied.(NotaJEDECcondition.)
点击购买
可用的软件包：
2N4119A的TO- 71
2N4119A裸片。
TO- 71 （底视图）
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Micross组件欧洲
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
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