电流调节热插拔控制器
以及DualSpeed / BiLevel故障保护
__________Applications信息
组件选择
N沟道MOSFET
根据选择外部N沟道MOSFET
应用程序的当前水平。 MOSFET的
DS （ ON）
应选择足够低，以具有最小电压
在满负荷的年龄下降，限制了MOSFET功率耗散
化。高R
DS （ ON）
可引起输出纹波如果董事会
具有脉动载荷，或它可以触发一个外部欠
电压复位监控器在满负荷。确定
器件的额定功率要求，以适应
在启动过程中电路板短路状态（见
MOSFET散热考虑） 。
通常的MOSFET能承受单次脉冲
与功耗比指定的包额定高
ING 。另外，由于冲击电流的一部分限制是
通过限制门的dV / dt来实现，这是没有必要的
使用具有低的栅极电容的MOSFET。表2
列出了一些推荐的制造商和康波
堂费。
检测电阻器
慢比较器阈值电压被设定在为50mV 。
选择一个检测电阻，导致一个50mV的电压
掉落在目前的水平高于正常最高
工作电流。通常情况下，设置过载电流
1.2 1.5倍的额定负载电流。快速的COM
器门限时被设定为200mV的。这台故障
电流限制在4倍的过载电流限制。
选择检测电阻的额定功率为accommo-
日期的过载电流（表3） ：
P
SENSE
= (I
超载
)
2
·
R
SENSE
启动定时电容（C
TIM
)
在启动期间（t
开始
）由电容决定的
TOR连接在CTIM 。这决定了最大
时间让其完全开启MOSFET 。
在t的默认值
开始
选择留CTIM
浮约为5.5μs 。这也是
最小值（不控制，依赖于流浪
电容） 。更长的定时是由确定的
值的电容器，可根据图6，和可
如下确定：
t
开始
（毫秒） = 0.31
·
C
TIM
（ NF）
将吨
开始
计时器，以允许在MOSFET为
增强和负载电容器是完全
收取。
有完成的启动的两种方法
序列。案例描述了一种启动序列
不使用限流特性，慢慢地也
在MOSFET上通过限制门的dV / dt 。案例B使用
限流功能和接通MOSFET作为
最快的速度，同时还防止高浪涌电流。
1000
100
10
t
开始
（女士）
1
0.1
0.01
0.001
0.01
MAX4370
0.1
1
10
100
1000
电容（ NF）
图6.初创时期对丙
TIM
表3.电流水平与
SENSE
R
SENSE
(m)
10
50
100
超载
阈值的设置由
低速比较
(A)
5
1
0.5
故障电流
阈值的设置由
快速比较
(A)
20
4
2
表2.元件制造商
部件
传感电阻器
生产厂家
戴尔 - 日前，Vishay
IRC
飞兆半导体
MOSFET的
国际整流器器
摩托罗拉
电话
402-564-3131
704-264-8861
888-522-5372
310-322-3331
602-244-3576
因特网
www.vishay.com
www.irctt.co
www.fairchildsemi.com
www.irf.com
www.mot-sps.com/ppd/
11
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