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HGTG15N120C3D
典型性能曲线
100
f
最大
，工作频率（千赫）
除非另有规定编
50
（续）
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V ，R
G
= 10
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
40
30
20
10
V
GE
= 10V
f
MAX1
= 0.05/(t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/(E
ON
+ E
关闭
)
P
D
=允许功耗
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
1
5
R
θ
JC
= 0.76
o
C / W ，见注解
10
20
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
25
V
GE
= 15V
30
20
10
0
0
200
400
600
800
1000
1200
V
CE （ PK ）
，集电极到发射极电压（ V）
图13.操作频率的函数
集电极到发射极电流
4000
频率= 1MHz的
3500
C，电容（pF ）
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
25
C
水库
C
OES
C
IES
图14.最小开关安全工作区
16
V
GE
，门到发射极电压（ V）
14
12
I
G（ REF ）
= 4.21毫安，R
L
= 80, T
C
= 25
o
C
V
CE
= 1200V
10
8
6
V
CE
= 800V
4
2
0
0
20
40
80
120
60
100
Q
g
，栅极电荷（ NC）
140
160
180
V
CE
= 400V
图15.电容来收集器的功能
到发射极电压
图16.栅极充电波形
Z
θ
JC
归一化热响应
10
0
0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
P
D
t
1
10
-2
0.01
单脉冲
t
2
DUTY因子，D = T
1
/ t
2
PEAK牛逼
J
= (P
D
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
) + T
C
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图17. IGBT归一化瞬态热响应，结到管壳
6
