HGTG15N120C3D
1997年5月
35A ， 1200V ， UFS系列N沟道IGBT
与反并联二极管超高速
描述
该HGTG15N120C3D是MOS门控高压开关
荷兰国际集团的设备相结合的MOSFET的最佳功能和
双极型晶体管。此装置具有高输入阻抗
一个MOSFET和一个低通状态的导通损耗的
双极型晶体管。在低得多的通态压降VAR-
IES只有适度的25
o
C和150
o
C.
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
用在反并联的IGBT的二极管是相同的
该RHRP15120 。 IGBT的前身是发展型
TA49145.
特点
35A ， 1200V在T
C
= 25
o
C
1200V开关SOA能力
在T典型下降时间
J
= 150
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350ns
短路额定值
低传导损耗
订购信息
产品型号
HGTG15N120C3D
包
TO-247
BRAND
15N120C3D
注：订货时，使用整个零件编号。
以前发育类型TA49133 。
符号
C
G
E
包装
JEDEC风格-247
E
C
G
集热器
（法兰）
INTERSIL CORPRATION的IGBT产品受以下一项或美国专利更多：
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,417,385
4,598,461
4,644,637
4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
4267.1
1
HGTG15N120C3D
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG15N120C3D
1200
35
15
120
±20
±30
在15A 1200V
164
1.32
-55到150
260
6
25
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
s
s
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C，图14 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
短路耐受时间（注2） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
短路耐受时间（注2） V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PK ）
= 360V ，T
J
= 125
o
C，R
GE
= 25.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
SSOA
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
V
CE
= BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
1200
-
-
-
-
4.0
-
V
CE （ PK ）
= 960V
V
CE （ PK ）
= 1200V
40
15
典型值
-
-
-
2.3
2.4
5.6
-
-
-
最大
-
250
3.0
3.5
3.2
7.5
±100
-
-
单位
V
A
mA
V
V
V
nA
A
A
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C
R
G
= 10
V
GE
= 15V
L = 1MH
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GEP
Q
G（ ON）的
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
V
EC
t
rr
R
θJC
I
C
= I
C110
, V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 20V
T
J
= 150
o
C,
I
CE
= I
C110,
V
CE （ PK ）
= 0.8 BV
CES ，
V
GE
= 15V,
R
G
= 10,
L = 1MH
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8.8
75
100
17
25
470
350
2100
4700
-
-
-
-
-
-
100
130
-
-
550
400
-
-
3.2
65
75
0.76
1.5
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
V
ns
ns
o
C / W
o
C / W
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
关断能量（注3 ）
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
I
EC
= 15A
I
EC
= 1A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
I
EC
= 15A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
IGBT
二极管
-
-
-
-
-
热阻
注意：
3.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）被定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿的积分和
在其中的集电极电流等于零（我的点结束
CE
= 0A ） 。该HGTG15N120C3D是根据JEDEC标准24-1号测试
对于功率器件关断开关损耗测量方法。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。开启
能源损耗（E
ON
）包括由于二极管恢复损耗。
2
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