MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
典型特征
MMBD770T1
2.0
CT ，总电容（PF ）
F = 1.0 MHz的
1.6
500
MMBD770T1
MMBD770T1
400
克拉考尔法
300
1.2
t
，少数载流子寿命（ PS ）
50
0.8
200
0.4
100
0
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VR ，反向电压（伏）
40
45
0
10
20
30
40
50
60
70
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图10.总电容
图11.少数载流子寿命
10
MMBD770T1
1.0
TA = 100℃
100
MMBD770T1
IF ，正向电流（mA ）
IR ，反向漏电流（
m
A)
10
TA = 85°C
TA = - 40°C
TA = 75℃
0.1
1.0
TA = 25°C
0.01
TA = 25°C
0.001
0
10
20
30
VR ，反向电压（伏）
40
50
0.1
0.2
0.4
0.8
1.2
VF ，正向电压（伏）
1.6
2.0
图12.反向漏
图13.正向电压
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
