MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
典型特征
MMBD330T1
2.8
CT ，总电容（PF ）
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
F = 1.0 MHz的
500
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MMBD330T1
MMBD330T1
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
VR ，反向电压（伏）
24
27
30
0
10
20
40
60
30
50
70
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图6.总电容
图7.少子寿命
10
MMBD330T1
1.0
TA = 100℃
100
MMBD330T1
IF ，正向电流（mA ）
TA = - 40°C
10
TA = 85°C
IR ，反向漏电流（
m
A)
TA = 75℃
0.1
0.01
TA = 25°C
1.0
TA = 25°C
0.001
0
6.0
12
18
VR ，反向电压（伏）
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
VF ，正向电压（伏）
1.0
1.2
图8.反向漏
图9.正向电压
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
