Si7860ADP
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速开关MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0095 @ V
GS
= 10 V
0.0125 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
16
16
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
PWM优化的高效率
D
新的低热阻PowerPAKr
低1.07毫米封装简介
D
100% R
g
经过测试
应用
D
降压转换器
- 高压侧或低侧
D
同步整流器器
- 次级整流
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
底部视图
订购信息： Si7860ADP -T1 -E3
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"20
16
稳定状态
单位
V
11
8
"50
A
1.5
1.8
1.1
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
13
4.1
4.8
3.1
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
结到环境
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
21
56
1.9
最大
26
70
2.5
单位
° C / W
C / W
1
