Si5975DC
Vishay Siliconix公司
双P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.086 @ V
GS
= --4.5 V
--12
0.127 @ V
GS
= --2.5 V
0.164 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--4.1
--3.4
--3.0
S
1
S
2
1206-8 ChipFETt
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
G
1
G
2
标识代码
DD XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
订货信息：
Si5975DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--12
8
单位
V
--4.1
--3.0
--10
--1.8
2.1
1.1
--55到150
260
--3.1
--2.2
--0.9
1.1
0.6
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71320
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
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